科目: 來源: 題型:多選題
A. | 同步衛(wèi)星A與同步衛(wèi)星B的軌道半徑之比$\frac{{r}_{A}}{{r}_{B}}$=$\frac{16}{9}$ | |
B. | 同步衛(wèi)星A與同步衛(wèi)星B的向心加速度之比$\frac{{a}_{A}}{{a}_{B}}$=$\root{3}{\frac{81}{256}}$ | |
C. | 同步衛(wèi)星A與同步衛(wèi)星B的線速度之比$\frac{{v}_{A}}{{v}_{B}}$=$\root{3}{\frac{3}{4}}$ | |
D. | 同步衛(wèi)星A與同步衛(wèi)星B的線速度之比$\frac{{v}_{A}}{{v}_{B}}$=$\frac{3}{4}$ |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 若污水中正離子較多,則前內(nèi)側(cè)面比后內(nèi)側(cè)面的電勢(shì)高 | |
B. | 前內(nèi)側(cè)面的電勢(shì)一定低于后內(nèi)側(cè)面的電勢(shì),與哪種離子多無關(guān) | |
C. | 污水中離子濃度越高,電壓表的示數(shù)越大 | |
D. | 污水流量 Q 與電壓 U 成正比,與 ab 無關(guān) |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 若自由運(yùn)動(dòng)電荷帶正電,則上表面的電勢(shì)比下表面的低 | |
B. | 若自由運(yùn)動(dòng)電荷帶負(fù)電,則上表面的電勢(shì)比下表面的低 | |
C. | 其它條件不變的情況下,電壓U隨電流I的增加而增加 | |
D. | 其它條件不變的情況下,電壓U隨邊長(zhǎng)a的增加而增加 |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 若污水中正離子較多,則前表面比后表面電勢(shì)高 | |
B. | 前表面的電勢(shì)一定低于后表面的電勢(shì),與哪種離子多無關(guān) | |
C. | 電壓表的示數(shù)與污水中離子濃度無關(guān) | |
D. | 污水流量Q與U成正比,與a、b、c無關(guān) |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 自由運(yùn)動(dòng)電荷為負(fù)電荷 | B. | 自由運(yùn)動(dòng)電荷為正電荷 | ||
C. | 自由運(yùn)動(dòng)電荷的速率v=$\frac{U}{bB}$ | D. | 自由運(yùn)動(dòng)電荷的速率v=$\frac{U}{aB}$ |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 環(huán)將向上勻速運(yùn)動(dòng) | B. | 環(huán)將向上做變加速運(yùn)動(dòng) | ||
C. | 端點(diǎn)B繞A點(diǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度時(shí)刻在變 | D. | 金屬環(huán)的機(jī)械能不斷增加 |
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科目: 來源: 題型:計(jì)算題
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 金屬塊上表面M的電勢(shì)高于下表面N的電勢(shì) | |
B. | 電流增大時(shí),M、N兩表面間的電壓U增大 | |
C. | 磁感應(yīng)強(qiáng)度增大時(shí),M、N兩表面間的電壓U減小 | |
D. | 金屬塊中單位體積內(nèi)的自由電子數(shù)減少,M、N兩表面間的電壓U減小 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | $\sqrt{gR}$ | B. | $\sqrt{2gR}$ | C. | $\sqrt{3gR}$ | D. | 2$\sqrt{gR}$ |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | E1>E2,φ1>φ2 | B. | E1<E2,φ1<φ2 | C. | El>E2,φl=φ2 | D. | E1=E2,φl<φ2 |
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