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（10分）Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長、耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：

（1）下列說法正確的是__________（填序號）

A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同

B．第一電離能 As>Ga

C．電負性 As>Ga

D．原子半徑 As>Ga

（2）砷化鎵可由(CH₃）₃Ga和AsH₃在700℃下反應制得，反應的方程式為

_____________________________________________________________；

（3）AsH₃空間形狀為________________；

已知（CH₃）₃Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；

Ⅱ. 金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業。

（4）請解釋金屬銅能導電的原因                                               ，

 Cu²⁺的核外電子排布式為__________________________。

（5）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發，最終得到的[Cu(NH₃)₄]SO₄晶體中含有的化學鍵除了普通共價鍵外，還有             和              。

(15分)

Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：

   （1）下列說法正確的是__________（填序號）

A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同        B.第一電離能 As>Ga

C.電負性 As>Ga                              D.原子半徑 As>Ga

   （2）砷化鎵可由（CH₃）₃Ga和AsH₃在700℃下反應制得，反應的方程式為__________；

   （3）AsH₃空間形狀為___________；已知（CH₃）₃ Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；

Ⅱ. 金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業。

   （4）請解釋金屬銅能導電的原因                     ， Cu²⁺的核外電子排布式為__________________________。

   （5）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發，最終得到深藍色的[Cu（NH₃）₄]SO₄晶體,晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有         和         。

(15分)
Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：

（1）下列說法正確的是__________（填序號）