(15分)
Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：
（1）下列說法正確的是__________（填序號）
A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同 B.第一電離能 As>Ga
C.電負性 As>Ga D.原子半徑 As>Ga
（2）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應制得，反應的方程式為__________；
（3）AsH3空間形狀為___________；已知（CH3）3 Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；
Ⅱ. 金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業。
（4）請解釋金屬銅能導電的原因 ， Cu2+的核外電子排布式為__________________________。
（5）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發，最終得到深藍色的[Cu（NH3）4]SO4晶體,晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有 和 。
通城學典默寫能手系列答案科目：高中化學 來源：2011屆吉林省長春市高三第二次模擬考試（理綜）化學部分 題型：填空題
(15分)
Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：
（1）下列說法正確的是__________（填序號）
| A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同 | B．第一電離能 As>Ga |
| C．電負性 As>Ga | D．原子半徑 As>Ga |
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科目：高中化學 來源：2011-2012學年江蘇省南京市四校高三12月月考化學試卷 題型：填空題
本題包括A、B兩小題，分別對應于“物質結構與性質”和“實驗化學”兩個選修模塊的內容。請選定其中一題，并在相應的答題區域內作答。若兩題都做，則按A題評分。
A．砷（As）在地殼中含量不大，但砷的化合物卻是豐富多彩。
（1）基態砷原子的電子排布式為 ▲ ；砷與溴的第一電離能較大的是 ▲ 。
（2）AsH3是無色稍有大蒜味氣體。AsH3的沸點高于PH3，其主要原因是 ▲ 。
（3）Na3AsO4可作殺蟲劑。AsO43-的空間構型為 ▲ ，與其互為等電子體的一種分子為 ▲ 。
（4）某砷的氧化物俗稱“砒霜”，其分子結構如右圖所示。該化合物的分子式為 ▲ ，As原子采取 ▲ 雜化。
（5）GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與金剛石相似。GaAs晶體中，每個As與 ▲ 個Ga相連，As與Ga之間存在的化學鍵有 ▲ （填字母）。
A．離子鍵 B．σ鍵 C．π鍵 D．氫鍵 E．配位鍵 F．金屬鍵 G．極性鍵
B．某研究小組以苯甲醛為原料，制備苯甲酸和苯甲醇。反應原理如下：
有關物質的部分物理性質如下：
|
|
熔點/℃ |
沸點/℃ |
溶解性 |
|
苯甲醛 |
—26 |
179 |
微溶于水，易溶于乙醇、乙醚 |
|
苯甲酸 |
122 |
249 |
微溶于水，易溶于乙醇、乙醚 |
|
苯甲醇 |
－15.3 |
205.0 |
稍溶于水，易溶于乙醇、乙醚 |
|
乙醚 |
－116.2 |
34.5 |
微溶于水，易溶于乙醇 |
實驗步驟：
（1）在250 mL錐形瓶中，放入9 g KOH和9 mL水，配成溶液，冷卻至室溫。加入10.5 g新蒸餾的苯甲醛，塞緊瓶塞，用力振蕩，使之變成糊狀物，放置24 h。
①苯甲醛要求新蒸餾的，否則會使 ▲ （填物質名稱）的產量相對減少。
②用力振蕩的目的是 ▲ 。
（2）分離苯甲醇
①向錐形瓶中加入30 mL水，攪拌，使之完全溶解。冷卻后倒入分液漏斗中，用30 mL乙醚萃取苯甲醇（注意留好水層）。30 mL 乙醚分三次萃取的效果比一次萃取的效果 ▲ （填“好”或“差”）。
②將醚層依次用飽和亞硫酸氫鈉溶液、飽和碳酸鈉溶液和水各5 mL洗滌，再用無水硫酸鎂干燥。將干燥后的乙醚溶液轉移到100 mL蒸餾燒瓶中，投入沸石，連接好普通蒸餾裝置，加熱蒸餾并回收乙醚，應選擇的加熱方法是 ▲ （填字母代號）。
A．水浴加熱 B．油浴加熱 C．沙浴加熱 D．用酒精燈直接加熱
③改用空氣冷凝管蒸餾，收集 ▲ ℃的餾分。
（3）制備苯甲酸
在乙醚萃取過的水溶液中，邊攪拌邊加入濃鹽酸酸化至pH＝3.5左右。冷卻使結晶完全，抽濾，洗滌、干燥。抽濾完畢或中途停止抽濾時，應先 ▲ 。
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科目：高中化學 來源：2010-2011學年吉林省長春市高三第二次模擬考試（理綜）化學部分 題型：填空題
(15分)
Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：
（1）下列說法正確的是__________（填序號）
A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同 B.第一電離能 As>Ga
C.電負性 As>Ga D.原子半徑 As>Ga
（2）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應制得，反應的方程式為__________；
（3）AsH3空間形狀為___________；已知（CH3）3 Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；
Ⅱ. 金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業。
（4）請解釋金屬銅能導電的原因 ， Cu2+的核外電子排布式為__________________________。
（5）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發，最終得到深藍色的[Cu（NH3）4]SO4晶體,晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有 和 。
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科目：高中化學 來源： 題型：
37. (15分)
Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：
（1）下列說法正確的是__________（填序號）
A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同 B.第一電離能 As>Ga
C.電負性 As>Ga D.原子半徑 As>Ga
（2）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應制得，反應的方程式為__________；
（3）AsH3空間形狀為___________；已知（CH3）3 Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；
Ⅱ. 金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業。
（4）請解釋金屬銅能導電的原因 ， Cu2+的核外電子排布式為__________________________。
（5）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發，最終得到深藍色的[Cu（NH3）4]SO4晶體,晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有 和 。
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