Question

（10分）Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長、耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：

（1）下列說法正確的是__________（填序號）

A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同

B．第一電離能 As>Ga

C．電負性 As>Ga

D．原子半徑 As>Ga

（2）砷化鎵可由(CH₃）₃Ga和AsH₃在700℃下反應制得，反應的方程式為

_____________________________________________________________；

（3）AsH₃空間形狀為________________；

已知（CH₃）₃Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；

Ⅱ. 金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業。

（4）請解釋金屬銅能導電的原因                                               ，

 Cu²⁺的核外電子排布式為__________________________。

（5）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發，最終得到的[Cu(NH₃)₄]SO₄晶體中含有的化學鍵除了普通共價鍵外，還有             和              。

Answer 1

（1）BC     （1分）

（2）（CH₃）₃Ga + AsH₃  GaAs + 3CH₄ （2分）

（3）三角錐、 sp²    （各1分）

（4） 銅是金屬晶體，由金屬陽離子和自由電子構成，自由電子在外加電場的作用下可發生定向移動。（1分）

［Ar］3d⁹ 或1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d ⁹（2分）

（5）離子鍵，配位鍵 （2分）