Question

Ⅰ．砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長，耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：

 (1)下列說法正確的是____（填序號）。
A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同
B.第一電離能As>Ga
C.電負性As>Ga
D.原子半徑As>Ga
(2)砷化鎵可由(CH₃)₃Ga和AsH₃在700℃下反應制得，反應的方程式為_________________；
(3)AsH₃空間形狀為_______；已知(CH₃)₃Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；
Ⅱ．金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業。
(4)請解釋金屬銅能導電的原因___________，Cu²⁺的核外電子排布式為_________________
(5)在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發，最終得到深藍色的[Cu(NH₃)₄]SO₄晶體，晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有___________和____________。

Answer 1

(1)BC
(2)(CH₃)₃Ga+AsH₃GaAs+3CH₄
(3)三角錐；sp²
(4)銅是金屬晶體，由金屬陽離子和自由電子構成，自由電子在外加電場的作用下可發生定向移動；
[Ar]3d⁹或1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹
(5)離子鍵；配位鍵