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電子工業中清洗硅片上的SiO2（s）的反應是：
SiO2（s）+4HF（g）=SiF4（g）+2H2O（g）
ΔH（298K）=-94.0kJ?mol-1
ΔS（298K）=-75.8J?mol-1?K-1
設ΔH和ΔS不隨溫度而改變，試求此反應自發進行的溫度條件。

此反應自發進行的最高溫度為1240K。
練習冊系列答案
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科目：高中化學 來源： 題型：

電子工業中清洗硅片上的SiO2(s)的反應是：?

SiO2(s)+4HF(g) SiF4(g)+2H2O(g)?ΔH(298.15 K)=-94.0 kJ·mol-1?

ΔS（298.15 K）=-75.8 J·mol-1·K-1?

設ΔH和ΔS不隨溫度而變化，試求此反應自發進行的溫度條件。????????????

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科目：高中化學 來源： 題型：

電子工業中清洗硅片上的SiO2（s）的反應是：

SiO2（s）＋4HF(g)＝Si F4(g)＋2H2O(g)  ΔＨ(298.15K)＝－94.0 kJ·mol－1  ΔＳ(298.15K)＝－75.8 J·mol－1 ·K －1  ，設ΔＨ和ΔＳ不隨溫度而變化，試求此反應自發進行的溫度條件？

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10分）電子工業中清洗硅片上的SiO2（s）的反應是

SiO2(s)+4HF(g) ==SiF4(g)+2H2O(g) △H(298.15K)=-94.0kJ·mol-1  △S(298.15K)=-75.8J·mol-1 ·K-1 設△H和△S不隨溫度而變，試求此反應自發進行的溫度條件。

 

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由能量判據(以焓變為基礎)(符號為△H，單位為kJ/mol)和熵判據(符號為△S，單位為J·mol-1·K-1)組合而成的復合判據，即體系自由能變化(符號為△G，單位為kJ/mol)將更適合于所有過程的自發性判斷。公式為△G=△H-T△S(T指開爾文溫度)；若△G＜0，反應自發進行。電子工業中清洗硅片上的SiO2(s)的反應是：SiO2(s)+4HF(g)==SiF4(g)+2H2O(g) △H(298．15K)=-94．0kJ·mol-1 △S(298．15K)=-75．8J·mol-1·K-1 設△H和△S不隨溫度而變化，試求此反應自發進行的溫度條件。

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同步練習冊答案
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