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電子工業中清洗硅片上的SiO2(s)的反應是:?

SiO2(s)+4HF(g) SiF4(g)+2H2O(g)?ΔH(298.15 K)=-94.0 kJ·mol-1?

ΔS(298.15 K)=-75.8 J·mol-1·K-1?

設ΔH和ΔS不隨溫度而變化,試求此反應自發進行的溫度條件。????????????

解析:要使反應能夠自發進行,則ΔH-TΔS<0即-94.0 kJ·mol-1-T×(-75.8×10-3 kJ·mol-1·K-1)<0,T=1 240 K,即只有在溫度低于1 240 K時反應才能自發進行。

答案:溫度低于1 240 K時反應才能自發進行。

練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:

電子工業中清洗硅片上的SiO2(s)的反應是:

SiO2(s)+4HF(g)=Si F4(g)+2H2O(g)  ΔH(298.15K)=-94.0 kJ·mol-1  ΔS(298.15K)=-75.8 J·mol-1 ·K -1  ,設ΔH和ΔS不隨溫度而變化,試求此反應自發進行的溫度條件?

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科目:高中化學 來源:2012年魯科版高中化學選修4 2.1化學反應的方向卷練習(解析版) 題型:計算題

10分)電子工業中清洗硅片上的SiO2(s)的反應是

SiO2(s)+4HF(g) ==SiF4(g)+2H2O(g) △H(298.15K)=-94.0kJ·mol-1  △S(298.15K)=-75.8J·mol-1 ·K-1 △H△S不隨溫度而變,試求此反應自發進行的溫度條件。

 

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科目:高中化學 來源: 題型:

電子工業中清洗硅片上的SiO2(s)的反應是:
SiO2(s)+4HF(g)=SiF4(g)+2H2O(g)
ΔH(298K)=-94.0kJ?mol-1
ΔS(298K)=-75.8J?mol-1?K-1
設ΔH和ΔS不隨溫度而改變,試求此反應自發進行的溫度條件。

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科目:高中化學 來源:同步題 題型:計算題

由能量判據(以焓變為基礎)(符號為△H,單位為kJ/mol)和熵判據(符號為△S,單位為J·mol-1·K-1)組合而成的復合判據,即體系自由能變化(符號為△G,單位為kJ/mol)將更適合于所有過程的自發性判斷。公式為△G=△H-T△S(T指開爾文溫度);若△G<0,反應自發進行。電子工業中清洗硅片上的SiO2(s)的反應是:SiO2(s)+4HF(g)==SiF4(g)+2H2O(g) △H(298.15K)=-94.0kJ·mol-1 △S(298.15K)=-75.8J·mol-1·K-1 設△H和△S不隨溫度而變化,試求此反應自發進行的溫度條件。

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同步練習冊答案
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