題目列表(包括答案和解析)
A、為使正離子每經過窄縫都被加速,交變電壓的頻率f=
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B、粒子第n次與第1次在下半盒中運動的軌道半徑之比為
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C、若其它條件不變,將加速電壓U增大為原來的2倍,則粒子能獲得的最大動能增大為原來的2倍 | ||
D、若其它條件不變,將D型盒的半徑增大為原來的2倍,則粒子獲得的最大動能增大為原來的4倍 |
在高能物理研究中,粒子回旋加速器起著重要作用,如圖甲為它的示意圖。它由兩個鋁制D型金屬扁盒組成,兩個D形盒正中間開有一條窄縫。兩個D型盒處在勻強磁場中并接有高頻交變電壓。圖乙為俯視圖,在D型盒上半面中心S處有一正離子源,它發出的正離子,經狹縫電壓加速后,進入D型盒中。在磁場力的作用下運動半周,再經狹縫電壓加速。如此周而復始,最后到達D型盒的邊緣,獲得最大速度,由導出裝置導出。已知正離子的電荷量為q,質量為m,加速時電極間電壓大小為U,磁場的磁感應強度為B,D型盒的半徑為R。每次加速的時間很短,可以忽略不計。正離子從離子源出發時的初速度為零,求(1)為了使正離子每經過窄縫都被加速,求交變電壓的頻率(2)求離子能獲得的最大動能(3)求離子第1次與第n次在下半盒中運動的軌道半徑之比。
在高能物理研究中,粒子回旋加速器起著重要作用,如圖甲為它的示意圖。它由兩個鋁制D型金屬扁盒組成,兩個D形盒正中間開有一條窄縫。兩個D型盒處在勻強磁場中并接有高頻交變電壓。圖乙為俯視圖,在D型盒上半面中心S處有一正離子源,它發出的正離子,經狹縫電壓加速后,進入D型盒中。在磁場力的作用下運動半周,再經狹縫電壓加速。如此周而復始,最后到達D型盒的邊緣,獲得最大速度,由導出裝置導出。已知正離子的電荷量為q,質量為m,加速時電極間電壓大小為U,磁場的磁感應強度為B,D型盒的半徑為R。每次加速的時間很短,可以忽略不計。正離子從離子源出發時的初速度為零,求(1)為了使正離子每經過窄縫都被加速,求交變電壓的頻率(2)求離子能獲得的最大動能(3)求離子第1次與第n次在下半盒中運動的軌道半徑之比。
在高能物理研究中,粒子回旋加速器起著重要作用,如圖甲為它的示意圖。它由兩個鋁制D型金屬扁盒組成,兩個D形盒正中間開有一條窄縫。兩個D型盒處在勻強磁場中并接有高頻交變電壓。圖乙為俯視圖,在D型盒上半面中心S處有一正離子源,它發出的正離子,經狹縫電壓加速后,進入D型盒中。在磁場力的作用下運動半周,再經狹縫電壓加速。如此周而復始,最后到達D型盒的邊緣,獲得最大速度,由導出裝置導出。已知正離子的電荷量為q,質量為m,加速時電極間電壓大小為U,磁場的磁感應強度為B,D型盒的半徑為R。每次加速的時間很短,可以忽略不計。正離子從離子源出發時的初速度為零,求
(1)為了使正離子每經過窄縫都被加速,求交變電壓的頻率
(2)求離子能獲得的最大動能
(3)求離子第1次與第n次在下半盒中運動的軌道半徑之比。
在高能物理研究中,粒子回旋加速器起著重要作用,如圖甲為它的示意圖。它由兩個鋁制D型金屬扁盒組成,兩個D形盒正中間開有一條窄縫。兩個D型盒處在勻強磁場中并接有高頻交變電壓。圖乙為俯視圖,在D型盒上半面中心S處有一正離子源,它發出的正離子,經狹縫電壓加速后,進入D型盒中。在磁場力的作用下運動半周,再經狹縫電壓加速。如此周而復始,最后到達D型盒的邊緣,獲得最大速度,由導出裝置導出。已知正離子的電荷量為q,質量為m,加速時電極間電壓大小為U,磁場的磁感應強度為B,D型盒的半徑為R。每次加速的時間很短,可以忽略不計。正離子從離子源出發時的初速度為零,求
(1)為了使正離子每經過窄縫都被加速,求交變電壓的頻率
(2)求離子能獲得的最大動能
(3)求離子第1次與第n次在下半盒中運動的軌道半徑之比。
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