A. | 電源是通過非靜電力做功把其他形式的能轉化為電能的裝置 | |
B. | 安培分子電流假說成功的解釋了磁化現象和磁體消磁現象 | |
C. | 電荷在某處不受電場力作用,則該處電場強度一定為零 | |
D. | 一小段通電導體在某處不受安培力作用,則該處磁感應強度一定為零 |
分析 電源是把其他形式的能轉化為電能的裝置.分子電流假說成功的解釋了磁化現象和磁體消磁現象;電場強度是描述電場本身性質的物理量,是由電場本身決定的,與試探電荷無關;電流的方向與磁場的方向平行時,電流不受安培力.
解答 解:A、電源是通過非靜電力做功把其他形式的能轉化為電能的裝置,故A正確.
B、安培根據電流的磁場與磁鐵的磁場的相似性提出的分子電流假說成功的解釋了磁化現象和磁體消磁現象.故B正確.
C、根據F=qE可知,電荷在某處不受電場力作用,則該處電場強度一定為零.故C正確.
D、一小段通電導體在某處不受安培力作用,可能是電流的方向與磁場的方向平行,該處磁感應強度不一定為零.故D不正確.
本題選擇不正確的,故選:D
點評 對于磁感應強度與安培力的關系以及電場強度與電場力的關系,二者有很多的差別,關鍵是要理解并掌握公式的適用條件、公式中各個量的準確含義.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 橫截面積一定,電阻與導體的長度成正比 | |
B. | 長度一定,電阻與導體的橫截面積成正比 | |
C. | 對于某一確定的導體,電阻與通過導體的電流成反比 | |
D. | 對于某一確定的導體,電阻與導體兩端的電壓成正比 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 根據該圖線乙可求出電源的內阻為$\frac{{{E_0}-{U_0}}}{I_0}-{R_0}$,電源的電動勢為E0 | |
B. | 當滑動變阻器滑片向左做滑動時,電流表和電壓表的示數都增大 | |
C. | 當滑動變阻器的阻值等于電源的內阻時,電源是輸出功率最大 | |
D. | 滑動變阻器滑片向左滑動時,電壓表和電流表示數的變化量之比$\frac{△u}{△I}$保持不變 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 有天然規則的幾何外形的物體一定是晶體 | |
B. | 晶體在物理性質上一定是各向異性的 | |
C. | 晶體熔化時具有一定的熔點 | |
D. | 晶體和非晶體在適當的條件下是可能相互轉化的 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 實驗前一定要先平衡摩擦力 | |
B. | 實驗時一定要在接通打點計時器電源的同時釋放小車 | |
C. | 實驗前需要知道當地的重力加速度 | |
D. | 小車應從靠近打點計時器的位置開始釋放 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 由圖線①、③可知在光的顏色不變的情況下,入射光越強,飽和電流越大 | |
B. | 由圖線①、②、③可知對某種確定的金屬來說,其遏止電壓只由入射光的頻率決定 | |
C. | 當入射光的頻率大于極限頻率時,頻率增為原來的2倍,光電子最大初動能也增為2倍 | |
D. | 遏止電壓越大,說明從該金屬中逃出來的光電子的最大初動能越大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電阻R的發熱功率是3.6W | |
B. | 交流電流表的示數是0.6A | |
C. | 用該交流發電機給電磁打點計時器供電時,打點的時間間隔一定為0.02s | |
D. | 如果將電阻R換成標有“6V 3W”字樣的小燈泡,小燈泡能正常工作 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | Fcosθ | B. | μ(G+Fsinθ) | C. | $\frac{μG}{1-μtanθ}$ | D. | Fsinθ |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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