A. | 用軟紙輕擦磁卡 | B. | 用磁卡拍打桌面 | C. | 使磁卡遠(yuǎn)離熱源 | D. | 使磁卡遠(yuǎn)離磁體 |
分析 磁卡內(nèi)部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進(jìn)行的,但在劇烈敲打時(shí),高溫,靠近磁體時(shí)分子電流的排布重新變的雜亂無(wú)章,磁卡所帶信息消失.
解答 解:A、磁卡內(nèi)部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進(jìn)行的,但在劇烈敲打時(shí),分子電流的排布重新變的雜亂無(wú)章,每個(gè)分子電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消,故對(duì)外不顯磁性,所帶信息消失,故需要用軟紙輕擦磁卡,故做法A是正確的.
B、磁卡內(nèi)部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進(jìn)行的,但在劇烈敲打時(shí),分子電流的排布重新變的雜亂無(wú)章,每個(gè)分子電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消,故對(duì)外不顯磁性,所帶信息消失,故不能用磁卡拍打桌面,即做法B是錯(cuò)誤的.
C、磁卡內(nèi)部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進(jìn)行,故對(duì)外顯現(xiàn)磁性,但在高溫時(shí),分子電流的排布重新變的雜亂無(wú)章,每個(gè)分子電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消,磁卡所帶信息消失,故應(yīng)使磁卡遠(yuǎn)離熱源,故C做法正確.
D、磁卡內(nèi)部的分子電流的排布按一定的規(guī)律進(jìn)行,故對(duì)外顯現(xiàn)一定的磁性,攜帶一定的信息,但當(dāng)磁卡靠近磁體時(shí)是由于受到磁場(chǎng)的作用力分子電流的排布發(fā)生改變,磁卡所帶信息消失,故做法D是正確的.
本題選錯(cuò)誤的做法,故選:B
點(diǎn)評(píng) 掌握了安培的分子電流假說的內(nèi)容即可順利解決此類題目,所以要加強(qiáng)對(duì)基本概念的學(xué)習(xí).
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電梯一定在下降 | |
B. | 該同學(xué)處于失重狀態(tài) | |
C. | 電梯的加速度方向向上 | |
D. | 該同學(xué)對(duì)電梯地板的壓力大于地板對(duì)該同學(xué)的支持力 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{\sqrt{2}}{2}$mg | B. | $\frac{\sqrt{3}}{2}$mg | C. | $\frac{1}{2}$mg | D. | mg |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 卡車勻減速所用時(shí)間t1=5s | |
B. | 勻加速運(yùn)動(dòng)至恢復(fù)原來的速度發(fā)生的位移為36m | |
C. | 卡車勻減速運(yùn)動(dòng)發(fā)生的位移為30m | |
D. | 從卡車開始剎車到剛恢復(fù)到原來速度的過程的平均速度為3.6m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 2個(gè) | B. | 3個(gè) | C. | 4個(gè) | D. | 5個(gè) |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 順時(shí)針,向左 | B. | 逆時(shí)針,向右 | C. | 順時(shí)針,向右 | D. | 逆時(shí)針,向左 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 線圈轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度為100πrad/s | |
B. | 電流表的示數(shù)為10$\sqrt{2}$A | |
C. | 0.01s時(shí)線圈平面與磁感線垂直 | |
D. | 0.02s時(shí)電阻R中電流的方向自左向右 |
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