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如圖所示,S為離子源,從其小孔發射出電量為q的正離子(初速度可認為為零),經電壓為U0的電場加速后,沿AC方向進入勻強磁場中。磁場被限制在以O為圓心r為半徑的圓形區域內,磁感應強度大小為B,方向垂直紙面向里。正離子從磁場射出后,打在屏上的P點,偏轉距離CP與屏到O點的距離OC之比CP:OC=求:(1)正離子的質量;

(2)正離子通過磁場所需的時間。

 

(1)  3qB2r2/2U0       (2)πBr2/2U

   


解析:

(1)帶電粒子從靜止開始先在加速電場中做勻加速直線運動,

由動能定理得:               

qUo=mv2/2-0        ①

在磁場中勻速圓周運動的運動軌跡如

圖所示,粒子才能出磁

場后勻速直線運動打在屏上的P點,

在磁場中解三角形得半徑    

R= r             ②     

   qvB=mv2/R            ③

聯立以上三式得m=3qB2r2/2U0

(2)由圖可知,

∵CP:OC=   ∴∠POC=60° ∴∠AOP=120° ∴∠α=60°

所以帶電粒子在磁場中運動的時間為其周期的1/6

∵T=2πm/qB

∴t=T/6=πm/3qB=πBr2/2U。

練習冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,S為離子源,從其小孔發射出電量為q的正離子(初速度可認為為零),經電壓為UK的電場加速后,沿O1O2方向進入勻強磁場中。磁場被限制在以O為圓心r為半徑的圓形區域內,磁感應強度大小為B,方向垂直紙面向里。正離子從磁場射出后,打在屏上的P點,偏轉距離O2P與屏到O點的距離OO2之比O2POO2=。求:(1)正離子的質量;(2)正離子通過磁場所需的時間。
 

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如圖所示,相距為d的兩平行金屬板A、B上加電壓U,A板電勢高。在A板上放一離子源S,它不斷向右側空間放出質量為m、電荷量為q的正離子,離子的最大速度為v,B板上涂有熒光粉,正離子轟擊B板會發光。設離子不被B板反射,則B板的發光面積多大?

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(12分)如圖所示,S為離子源,從其小孔發射出電量為q的正離子(初速度可認為為零),經電壓為U0的電場加速后,沿AC方向進入勻強磁場中。磁場被限制在以O為圓心r為半徑的圓形區域內,磁感應強度大小為B,方向垂直紙面向里。正離子從磁場射出后,打在屏上的P點,偏轉距離CP與屏到O點的距離OC之比CP:OC=。求:

(1)正離子的質量;

(2)正離子通過磁場所需的時間。

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科目:高中物理 來源: 題型:

質譜儀的裝置如圖所示,假設從離子源S出來的離子質量為m,電量為q,初速度為零,被電壓為U的電場加速后進入磁感應強度為B的勻強磁場中,最后射在離入口縫隙為L處的照相底片上,求離子的荷質比q/m.

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同步練習冊答案
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