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硅是重要的半導體材料，構成了現代電子工業的基礎．請回答下列問題：
（1）基態Si原子價電子排布圖為，Si原子核外共有個不同運動狀態的電子．
（2）單質硅存在與金剛石結構類似的晶體，其中原子與原子之間以相結合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻個原子．
（3）單質硅可通過甲硅烷（SiH₄）分解反應來制備．工業上采用Mg₂Si和NH₄Cl在液氨介質中反應制得SiH₄，該反應的化學方程式為．
（4）在硅酸鹽中，SiO₄-4四面體（如圖（a））通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網狀四大類結構型式．圖（b）為一種無限長單鏈結構的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為，Si與O的原子數之比為，化學式為．

除去下列物質中所含雜質（括號中的物質）所選用的試劑和裝置均正確的是（　　）
Ⅰ．試劑：①KMnO₄/H⁺②NaOH溶液　③飽和Na₂CO₃溶液④H₂O
Ⅱ．裝置：

選項	物質	試劑	裝置
A	C2H6（C2H4）	①	①
B	溴苯（溴）	②	③
C	CH3COOC2H5（CH3COOH）	③	②
D	甲苯（二甲苯）	①	③

銅和鎂的合金4.6g完全溶于濃硝酸，若反應后硝酸被還原只產生 2.24L的 NO₂氣體和1.12L的N₂O₄氣體（都已折算到標準狀況），在反應后的溶液中，加入足量的氫氧化鈉溶液，生成沉淀的質量為（　　）

下列各組物質中，W為主體物質，X為雜質，Y為除雜試劑，Z是除雜方法，其中正確選用了試劑和處理方法的是（　　）

選項	W	X	Y	Z
A	CH3COOC2H5	CH3COOH	Na2CO3溶液	分液
B	CO2	SO2	飽和Na2CO3溶液	洗氣
C	NaCl固體	I2	CCl4	分液
D	Na2CO3溶液	NaHCO3溶液	Ca（OH）2溶液	過濾

除去某物質里混有的少量雜質，下列做法中不正確的是（括號內的物質為雜質）（　　）

寫出下列各實驗操作時所需方法或實驗儀器的名稱：
方法（1）泥沙與水，（2）從溴水中提取溴，（3）水與乙醇，
儀器（4）配制480mL 1mol?L^-1的NaOH溶液，（5）分離汽油與水．

為了除去括號中的雜質，選用的正確的試劑填空，并寫出相應的離子反應方程式
（1）CO₂（HCl） 選；
（2）Fe₂O₃（Al₂O₃）選；
（3）NaHCO₃（Na₂SiO₃）選；．

現有一盛有常見固體物質M的試劑瓶，標簽已破損（如圖所示）．請根據其性質回答下列問題：
（1）若M的水溶液呈中性，寫出實驗室檢驗M中陰離子的離子方程式：
（2）若將M置于空氣中易被氧化成另一種物質，其相對分子質量只增加16，則M的化學式為
（3）若取少量的固體M加入水中，立即有氣泡產生，則固體M中陰、陽離子的個數比為，M與水反應的離子方程式為：．
（4）若M的水溶液呈堿性，向M的水溶液中加入足量的鹽酸，有臭雞蛋氣味的氣體產生，則產生氣體的離子方程式為：．

為了探究三種氣態氧化物（SO₂、NO₂、CO₂）的性質，某同學設計了一組實驗：
實驗一：探究三種氣體在水中的溶解性，用三支相同的試管收集滿三種氣體，倒置在盛滿水的燒杯中，一段時間后，觀察到的現象如圖一中A、B、C所示．

（1）在相同條件下，三種氣體在水中溶解度最大的是（寫化學式），寫出A燒杯中發生反應的化學方程式：．如果在三只燒杯中分別滴幾滴紫色石蕊試液，可觀察到的現象是．
實驗二：用三只集氣瓶收集滿二氧化硫、二氧化氮氣體，然后將其倒置在水槽中．分別緩慢通入適量O₂或
Cl₂，如圖二中D、E、F所示．一段時間后，D、E裝置的集氣瓶中充滿溶液，F裝置的集氣瓶中還有氣體剩余．（2）實驗二中裝置D的集氣瓶最終充滿溶液（假設瓶內液體不擴散）：
①寫出裝置D中總反應的化學方程式：．
②假設該實驗條件下，氣體摩爾體積為a L?mol^-1．則裝置D的集氣瓶中所得溶液溶質的物質的量濃度為．
（3）寫出實驗F通入氧氣后，發生反應的化學方程式：．
（4）溶液充滿集氣瓶后，在E裝置的水槽里滴加硝酸鋇溶液，可能觀察到的現象為，用有關的離子方程式解釋原因：．

由白色和黑色固體組成的混合物A，可以發生如下框圖所示的一系列變化：

（1）寫出反應①的化學方程式；反應③的離子方程式．
（2）操作②中的名稱是：，在操作②中所使用的玻璃儀器的名稱是：．
（3）上圖實驗裝置中可用于實驗室制取氣體G的發生裝置是：；為了得到純凈干燥的氣體G，可將氣體通過c和d裝置，c裝置中存放的試劑是：，d裝置中存放的試劑是：．
（4）在上述裝置的最后應連接裝置，請寫出該裝置中反應的離子方程式：．