分析 W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素,原子半徑X>Y>Z>W;W的一種核素的質量數為18,中子數為10,其質子數為8,則W是O元素;
X和Ne原子的核外電子數相差1,其原子半徑最大,為Na元素;
Y的單質是一種常見的半導體材料,則Y是Si元素;
Z的電負性在同周期主族元素中最大,且其原子半徑大于O元素,則Z是Cl元素;
結合題目分析解答.
解答 解:W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素,原子半徑X>Y>Z>W;W的一種核素的質量數為18,中子數為10,其質子數為8,則W是O元素;
X和Ne原子的核外電子數相差1,其原子半徑最大,為Na元素;
Y的單質是一種常見的半導體材料,則Y是Si元素;
Z的電負性在同周期主族元素中最大,且其原子半徑大于O元素,則Z是Cl元素;
(1)X是Na元素,Na原子核外有3個電子層、最外層電子數為1,所以位于第三周期第IA族,故答案為:第三周期第IA族;
(2)W是O元素,其核外電子排布式為:1s22s22p4,其原子核外有2個未成對電子,故答案為:2;
(3)Y是Si元素、Z是Cl元素,同一周期元素,元素的非金屬性隨著原子序數增大而增強,元素的非金屬性越強,其單質的活潑性越強,所以Y單質和Z單質相比,較活潑的是Cl2,元素的非金屬性越強,其氫化物的穩定性越強,非金屬性Cl>Br,所以氫化物較穩定的是HCl;
故答案為:Cl2;HCl;
(4)Y是Si元素、Z是Cl元素,二者形成的物質是四氯化硅,四氯化硅和水反應生成硅酸和HCl,反應方程式為SiCl4+3H2O=H2SiO3↓+4HCl,
故答案為:SiCl4+3H2O=H2SiO3↓+4HCl;
(4)Y的氫化物是硅烷,硅烷和氧氣反應方程式為SiH4+2O2=SiO2+2H2O,該反應中轉移電子數為8,平均每轉移1mol 電子放熱190.0kJ,則轉移8mol電子放出熱量1520.0KJ,則其熱化學方程式為SiH4(g)+2O2(g)=SiO2(s)+2H2O(l)△H=-1520.0KJ/mol,
故答案為:SiH4(g)+2O2(g)=SiO2(s)+2H2O(l)△H=-1520.0KJ/mol.
點評 本題考查位置結構性質的相互關系及應用,為高頻考點,涉及熱化學方程式的書寫、元素周期律、原子結構等知識點,明確原子結構、元素周期表結構、元素化合物性質等知識點是解本題關鍵,側重考查學生分析判斷及知識綜合運用能力,注意基礎知識的總結歸納.
科目:高中化學 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學 來源: 題型:填空題
… | ① | ② | ③ | |
… | ④ | ⑤ |
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
C-H | C-O | C=O | H-H | H-O |
413.4 | 351 | 745 | 436 | 462.8 |
實驗 | 溫度/℃ | 起始量 | 達到平衡 | |||
CO/mol | H2O/mol | H2/mol | CO轉化率 | 所需時間/min | ||
1 | 650 | 4 | 2 | 1.6 | 6 | |
2 | 900 | 2 | 1 | 1/3 | 3 | |
3 | 900 | a | b | c | t |
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科目:高中化學 來源: 題型:推斷題
IA | IIA | IIIA | IVA | VA | VIA | VIIA | 0 | |
2 | ① | ② | ||||||
3 | ③ | ④ | ⑤ | ⑥ | ⑦ | ⑧ | ||
4 | ⑨ | ⑩ |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 石英溶于燒堿溶液:SiO2+2OH-═SiO32-+H2O | |
B. | 氫氧化鈉溶液中通入少量的二氧化硫:SO2+OH-═HSO3- | |
C. | 碳酸氫鈣溶液中加入足量氫氧化鈉溶液:Ca2++HCO3-+OH-═CaCO3↓+H2O | |
D. | 溴化亞鐵溶液中通入少量氯氣:2Fe2++4Br-+3Cl2═2Fe3++2Br2+6Cl- |
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
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