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四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法,有關反應的化學方程式為:SiCl4+2H24HCl+Si下列說法不合理的是( )
A.反應制得的硅可用于制造半導體材料
B.增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率
C.四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得
D.混入少量空氣對上述反應無影響
【答案】分析:A.硅位于金屬與非金屬元素的交界處;
B.該反應中有氣體參加反應,改變壓強,反應速率改變;
C.硅與氯氣能發生氧化還原反應;
D.硅能與氧氣反應.
解答:解:A.硅位于金屬與非金屬元素的交界處,硅具有金屬性和非金屬性,則反應制得的硅可用于制造半導體材料,故A正確;
B.該反應中有氣體參加反應,則增大壓強,化學反應速率增大,故B正確;
C.硅與氯氣能發生氧化還原反應,則四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得,故C正確;
D.硅能與氧氣反應生成二氧化硅,所以混入少量空氣對上述反應有影響,故D錯誤;
故選D.
點評:本題考查硅的提純及硅的性質,明確硅在周期表的位置及硅與氯氣、氧氣等發生的化學反應即可解答,題目難度不大.
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:

四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法,有關反應的化學方程式為:SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
4HCl+Si下列說法不合理的是(  )

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科目:高中化學 來源: 題型:

四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法,有關反應的化學方程式為:SiCl4(g)+2H2(g)
 高溫 
.
 
Si(s)+4HCl(g).下列說法合理的是(  )
A、光導纖維的主要成分是硅單質
B、減小壓強有利于加快化學反應速率
C、高溫下,氫氣的還原性強于硅
D、混入少量空氣對上述反應無影響

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科目:高中化學 來源:2012-2013學年黑龍江省牡丹江一中高二上學期期末化學試卷(帶解析) 題型:單選題

四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法,有關反應的化學方程式為:
SiCl4+2H24HCl+Si
下列說法不合理的是

A.反應制得的硅可用于制造半導體材料
B.增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率
C.四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得
D.混入少量空氣對上述反應無影響

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科目:高中化學 來源:2014屆黑龍江省高二上學期期末化學試卷(解析版) 題型:選擇題

四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法,有關反應的化學方程式為:

SiCl4+2H24HCl+Si

下列說法不合理的是

A.反應制得的硅可用于制造半導體材料

B.增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率

C.四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得

D.混入少量空氣對上述反應無影響

 

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