Question

四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學方程式為：SiCl₄+2H₂

高溫  .

4HCl+Si下列說法不合理的是（　　）

A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導體材料

B．增大壓強有利于加快上述反應(yīng)的化學反應(yīng)速率

C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得

D．混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響

Answer 1

分析：A．硅位于金屬與非金屬元素的交界處；
B．該反應(yīng)中有氣體參加反應(yīng)，改變壓強，反應(yīng)速率改變；
C．硅與氯氣能發(fā)生氧化還原反應(yīng)；
D．硅能與氧氣反應(yīng)．

解答：解：A．硅位于金屬與非金屬元素的交界處，硅具有金屬性和非金屬性，則反應(yīng)制得的硅可用于制造半導體材料，故A正確；
B．該反應(yīng)中有氣體參加反應(yīng)，則增大壓強，化學反應(yīng)速率增大，故B正確；
C．硅與氯氣能發(fā)生氧化還原反應(yīng)，則四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得，故C正確；
D．硅能與氧氣反應(yīng)生成二氧化硅，所以混入少量空氣對上述反應(yīng)有影響，故D錯誤；
故選D．

點評：本題考查硅的提純及硅的性質(zhì)，明確硅在周期表的位置及硅與氯氣、氧氣等發(fā)生的化學反應(yīng)即可解答，題目難度不大．