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四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：

SiCl4＋2H24HCl＋Si

下列說法不合理的是

A．反應制得的硅可用于制造半導體材料

B．增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率

C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得

D．混入少量空氣對上述反應無影響

 

【答案】

D

【解析】

試題分析：所給的反應是工業上提煉高純度硅的關鍵反應，A說法合理；增大壓強對于有氣體參加的反應能加快反應速率，B說法合理；C說法正確；混入空氣后硅和氧氣反應使所得產物含有二氧化硅而不純，D說法錯誤。

考點：考查高純度硅的制備及其相關問題

點評：熟悉工業上制備高純硅的化學反應原理和技術問題

 

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
4HCl+Si下列說法不合理的是（　　）

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科目：高中化學 來源： 題型：

四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：SiCl4（g）+2H2（g）
 高溫 
.
 
Si（s）+4HCl（g）．下列說法合理的是（　　）
A、光導纖維的主要成分是硅單質
B、減小壓強有利于加快化學反應速率
C、高溫下，氫氣的還原性強于硅
D、混入少量空氣對上述反應無影響

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科目：高中化學 來源：2012-2013學年黑龍江省牡丹江一中高二上學期期末化學試卷（帶解析） 題型：單選題

四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：
SiCl4＋2H24HCl＋Si
下列說法不合理的是

A．反應制得的硅可用于制造半導體材料
B．增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率
C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得
D．混入少量空氣對上述反應無影響

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科目：高中化學 來源：2012-2013學年黑龍江省牡丹江一中高二（上）期末化學試卷（解析版） 題型：選擇題

四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：SiCl4+2H24HCl+Si下列說法不合理的是（ ）
A．反應制得的硅可用于制造半導體材料
B．增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率
C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得
D．混入少量空氣對上述反應無影響

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