Question

太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池。完成下列填空：

(1)亞銅離子(Cu＋)基態(tài)時(shí)的電子排布式為________；

(2)硒為第四周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?/span>________(用元素符號(hào)表示)，用原子結(jié)構(gòu)觀(guān)點(diǎn)加以解釋?zhuān)?/span>________。

(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù))，其化合物可與具有孤對(duì)電子的分子或離子生成加合物，如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3·NH3。BF3·NH3中B原子的雜化軌道類(lèi)型為________，B與N之間形成________鍵。

(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu)；在SiC中，每個(gè)C原子周?chē)�最近�?/span>C原子數(shù)目為________。

 

 

Answer 1

(1)1s22s22p63s23p63d10

(2)Br>As>Se　As、Se、Br原子半徑依次減小，原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng)，元素的第一電離能依次增大；Se原子最外層電子排布為4s24p4，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p電子排布處于半充滿(mǎn)狀態(tài)，根據(jù)洪特規(guī)則特例可知，半充滿(mǎn)狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大

(3)sp3　配位(答共價(jià)不得分)

(4)12

【解析】(1)銅原子失去最外層的一個(gè)電子變?yōu)閬嗐~離子(Cu＋)。(3)因?yàn)?/span>BF3中的硼元素具有空軌道，NH3中有孤對(duì)電子，能夠與B形成配位鍵生成BF3·NH3，故BF3·NH3中B原子是sp3雜化。

點(diǎn)撥：本題考查電子排布式、電離能的比較、雜化類(lèi)型的判斷，考查考生靈活解決問(wèn)題的能力。難度中等。