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8.A、B、C、D、E、F均屬前四周期且原子序數依次增大的六種元素,其中A、B、C是同一周期相鄰的三種元素,B的氫化物易溶于C的氫化物中,D的基態原子s軌道與p軌道上的電子數之比為2:3,且D為主族元素;E、F為副族元素,4s能級均只有一個電子.回答下列問題:
(1)A、B、C三種元素的第一電離能由小到大的順序是CON或C<O<N(用元素符號表示).
(2)B與C能形成四原子陰離子,其中B的雜化方式為sp2;B的三氯化物分子的立體構型為三角錐形.
(3)任寫一種與AB-離子互為等電子體的離子C22-或O22+(寫化學式).
(4)F原子的外圍電子排布式為3d104s1,F晶體的堆積方式為④(填序號:①簡單立方堆積,②體心立方堆積,③六方最密堆積,④面心立方密集堆積).
(5)E的離子可以形成多種配合物,將ECl3溶液蒸發濃縮,析出深綠色晶體.該晶體中E3+、Cl-、H2O的物質的量之比為1:3:6,且E的配位數為6,向1.0mol該晶體的溶液中加入足量AgNO3溶液產生143.5g沉淀,則配合物的化學式為[Cr(H2O)4Cl2]Cl•2H2O.
(6)硼與D可形成一種耐磨材料,其結構與金剛石相似,如圖為其晶體結構單元,它可由硼的三溴化物和D的三溴化物于高溫下在氫氣的氛圍中合成
①寫出合成該晶體的化學方程式:BBr3+PBr3+3H2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$BP+6HBr.
②已知晶體中硼與D原子的最近距離為a pm,則該晶體密度的表達式為$\frac{4×42}{{N}_{A}×(\frac{4}{\sqrt{3}}a×1{0}^{-10})^{3}}$g•cm-3
(不需化簡,阿伏加德羅常數為NA

分析 A、B、C、D、E、F均屬前四周期且原子序數依次增大的六種元素,其中A、B、C是同一周期相鄰的三種元素,B的氫化物易溶于C的氫化物中,B為N元素,C為O元素,A應為C元素,D的基態原子s軌道與p軌道上的電子數之比為2:3,應為P元素,核外電子排布為1s22s22p63s22p3,E、F為副族元素,4s能級均只有一個電子,核外電子排布式分別為:1s22s22p63s22p63d54s1、1s22s22p63s22p63d104s1,則E為Cr元素、F為Cu元素,據此進行解答(1)~(5);
(6)①高溫下,B的三溴化物和P的三溴化物在氫氣的氛圍中合成BP,根據反應物、生成物及反應條件書寫方程式;
②晶體中B與P原子的最近距離為anm,即a×10-7cm,,圖中1、2、3、4原子形成正四面體結構,這四個原子之間的B原子位于正四面體體心上,1、5原子之間的距離為a×10-7cm,頂點到體心距離與體心到底面距離之比為3:1,則其高為$\frac{4}{3}$×a×10-7cm,設1、2原子之間距離為x,1、2、3原子形成的正三角形底面的高=$\frac{\sqrt{3}}{2}$x,正三角形頂點到中心的距離與中心到底的距離之比為2:1,所以正三角形頂點到中心的距離=$\frac{\sqrt{3}}{2}$x×$\frac{2}{3}$=$\frac{\sqrt{3}}{3}$x,由1、2、5構成直角三角形中存在x2=($\frac{\sqrt{3}}{3}$x)2+($\frac{4}{3}$×a×10-72,x=$\frac{2\sqrt{6}}{3}$×a×10-7,則晶胞棱長=$\sqrt{\frac{(2x)^{2}}{2}}$cm=$\frac{4}{\sqrt{3}}a×1{0}^{-7}$cm,晶胞體積=($\frac{4}{\sqrt{3}}a×1{0}^{-7}$)3cm3
該晶胞中B原子個數為4、P原子個數=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,再根據密度=$\frac{m}{V}$計算.

解答 解:A、B、C、D、E、F均屬前四周期且原子序數依次增大的六種元素,其中A、B、C是同一周期相鄰的三種元素,B的氫化物易溶于C的氫化物中,B為N元素,C為O元素,A應為C元素,D的基態原子s軌道與p軌道上的電子數之比為2:3,應為P元素,核外電子排布為1s22s22p63s22p3,E、F為副族元素,4s能級均只有一個電子,核外電子排布式分別為:1s22s22p63s22p63d54s1、1s22s22p63s22p63d104s1,則E為Cr元素、F為Cu元素,
(1)同一周期中,原子序數越大,電負性越小,則三種元素按電負性由小到大的順序為:C O N或C<O<N,
故答案為:C O N或C<O<N;
(2)B為N元素,與氧元素形成的四原子陰離子為NO3-,NO3-離子中C原子價層電子對數=3+$\frac{5+1-2×3}{2}$=3,且N原子不含孤電子對,所以其空間構型為平面三角形,原子采用sp2雜化;其三氯化物為NCl3,其分子中含有3個單鍵和1個孤對電子,其分子中N原子采用sp3雜化,分子的立體構型為三角錐形,
故答案為:sp2;三角錐形;
(3)原子個數相等、價電子數相等的微粒互為等電子體,與CN-離子互為等電子體的有:C22-或O22+
故答案為:C22-或O22+
(4)F除最外層原子軌道處于半充滿狀態,其余能層均充滿電子,為Cu,原子序數為29,原子核外電子排布為:1s22s22p63s23p63d104s1,外圍電子排布式為:3d104s1,Cu晶體屬于面心立方最密堆積,為ABC型排列方式,故④符合,
故答案為:3d104s1;④;
(5)向1.0mol該晶體的溶液中加入足量AgNO3溶液產生143.5g白色沉淀,該白色沉淀為AgCl,其物質的量為:$\frac{143.5g}{143.5g/mol}$=1mol,說明在該化合物中含有1個氯離子,Cr3+、Cl-、H2O的物質的量之比為1:3:6,則配位離子中含有氯離子數為:3-1=2,配位離子中含有水為:6-2=4,則含有結晶水水的個數為:6-4=2,故該配位化合物的化學式為:[Cr(H2O)4Cl2]Cl•2H2O,
故答案為:[Cr(H2O)4Cl2]Cl•2H2O;
(6)①高溫下,B的三溴化物和P的三溴化物在氫氣的氛圍中合成BP,根據反應物、生成物及反應條件書寫方程式為BBr3+PBr3+3H2$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$BP+6HBr,
故答案為:BBr3+PBr3+3H2  $\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$  BP+6HBr;
②晶體中B與P原子的最近距離為apm,即a×10-7cm,,圖中1、2、3、4原子形成正四面體結構,這四個原子之間的B原子位于正四面體體心上,1、5原子之間的距離為a×10-7cm,頂點到體心距離與體心到底面距離之比為3:1,則其高為$\frac{4}{3}$×a×10-7cm,設1、2原子之間距離為x,1、2、3原子形成的正三角形底面的高=$\frac{\sqrt{3}}{2}$x,正三角形頂點到中心的距離與中心到底的距離之比為2:1,所以正三角形頂點到中心的距離=$\frac{\sqrt{3}}{2}$x×$\frac{2}{3}$=$\frac{\sqrt{3}}{3}$x,由1、2、5構成直角三角形中存在:x2=($\frac{\sqrt{3}}{3}$x)2+($\frac{4}{3}$×a×10-72,解得:x=$\frac{2\sqrt{6}}{3}$×a×10-7,則晶胞棱長=$\sqrt{\frac{(2x)^{2}}{2}}$cm=$\frac{4}{\sqrt{3}}a×1{0}^{-7}$cm,晶胞體積=($\frac{4}{\sqrt{3}}a×1{0}^{-7}$)3cm3
該晶胞中B原子個數為4、P原子個數為:8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,
所以該晶胞密度為:$\frac{m}{V}$=$\frac{\frac{M}{{N}_{A}}×4}{V}$=$\frac{\frac{42}{{N}_{A}}×4}{(\frac{4}{\sqrt{3}}{×a×1{0}^{-7})}^{3}}$g/cm3=$\frac{4×42}{{N}_{A}×(\frac{4}{\sqrt{3}}a×1{0}^{-10})^{3}}$g/cm3
故答案為:$\frac{4×42}{{N}_{A}×(\frac{4}{\sqrt{3}}a×1{0}^{-10})^{3}}$.

點評 本題考查了位置結構與性質關系的綜合應用、晶胞的計算,題目難度較大,注意熟練掌握原子結構與元素周期表、元素周期律的關系,推斷元素為解答關鍵,(6)中晶胞計算為難點、易錯點,注意掌握晶胞計算的方法與技巧,試題培養了學生的分析、理解能力及化學計算能力.

練習冊系列答案
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(1)在氫氟酸的稀溶液中,通過改變以下條件能使氫氟酸的電離程度增大的是AD.
A.升高溫度      B.向溶液中滴入2滴濃鹽酸
C.加入少量NaF固體   D.加水稀釋
(2)在此溫度下,氫氟酸的電離平衡常數Ka(HF)為5.3×10-4(保留兩位有效數字).
(3)常溫下,將pH=a的鹽酸Va L 與pH=b的NaOH溶液Vb L混合后恰好呈中性,則Va:Vb=10a+b-14(用含a、b的代數式表示)
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16.以下為有機物H的合成路線

已知:(1)
(2)
(3)
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(2)E的結構簡式為
(3)寫出由對甲基苯甲醇生成D的化學方程式
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③能發生加聚反應            ④苯環上只有二個取代基
其中,在核磁共振氫譜上有6組峰,且峰面積之比為1:2:2:2:2:1的有機物的結構簡式為

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3.某藥物F的合成路線如下圖所示:

請根據題意回答下列問題:
(1)A中含氧官能團的名稱是酯基、羰基.
(2)步驟③的化學方程式為,該反應屬于消去反應.
(3)E的結構簡式
(4)同時滿足下列條件的A的同分異構體有15種(不考慮立體異構),請寫出其中一種的結構簡式
①含有和2個-CH3
②能發生銀鏡反應和水解反應(不考慮的變化).
(5)請參照題給合成路線,以苯、ClCH2COCl、(C2H52NH為有機原料(無機試劑任選)合成
提示:①
②合成路線流程圖示例:C2H5OH$→_{170℃}^{濃硫酸}$CH2=CH2$\stackrel{Br_{2}}{→}$CH2BrCH2Br.

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13.下列溶液中粒子的物質的量濃度關系正確的是(  )
A.0.1mol/L CH3COOH溶液與0.1mol/L NaOH溶液等體積混合,所得溶液中:c(OH-)>c(H+)+c(CH3COOH)
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D.0.1mol/L NaHCO3溶液與0.1mol/L NaOH溶液等體積混合,所得溶液中:c(Na+)>c(CO32-)>c(HCO3- )>c(OH-

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20.碳酸亞乙酯是一種重要的添加劑,其結構如圖(),碳酸亞乙酯可由兩種分子發生酯化反應制取,這兩種分子的原子個數比為(  )
A.3:5B.1:2C.2:3D.2:5

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17.以烴A或苯合成高分子化合物PMLA的路線如下:

已知:R-CH2OH$\stackrel{瓊斯試劑}{→}$R-COOH
(1)A的化學式為C4H6,其核磁共振氫譜只出現兩組峰且峰面積之比為2:1,A的名稱為1,3-丁二烯,A的鏈狀同分異構體有2種(不包括A).
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(4)C的結構簡式是
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(6)聚酯PMLA有多種結構,寫出由H2MA制PMLA的化學方程式等.(任寫一種)

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18.硅及其化合物廣泛應用于太陽能的利用、光導纖維及硅橡膠的制備等.
純凈的硅是從自然界中的石英礦石(主要成分為SiO2)中提取.高溫下制取純硅有如下反應(方法Ⅰ):
①SiO2(s)+2C(s)?Si(s)+2CO(g)            
②Si(s)+2Cl2(g)?SiCl4(g)  
③SiCl4(g)+2H2(g)→Si(s)+4HCl(g)
完成下列填空:
(1)硅原子核外有5 種不同能級的電子,最外層p電子有1種自旋方向;SiO2晶體中每個硅原子與4個氧原子直接相連.
(2)單質的還原性:碳弱于硅(填寫“同于”、“強于”或“弱于”).從平衡的視角而言,反應①能進行的原因是因為生成物CO為氣態,降低CO的濃度,可使平衡正向移動.
(3)反應②生成的化合物分子空間構型為正四面體型;該分子為非極性分子(填寫“極性”或“非極性”).
(4)某溫度下,反應②在容積為V升的密閉容器中進行,達到平衡時Cl2的濃度為a mol/L.然后迅速縮小容器容積到0.5V升,t秒后重新達到平衡,Cl2的濃度為b mol/L.則:a小于b(填寫“大于”、“等于”或“小于”).
(5)在t秒內,反應②中反應速率v(SiCl4)=(用含a、b的代數式表示).
(6)工業上還可以通過如下反應制取純硅(方法Ⅱ):
④Si(粗)+3HCl(g) $\stackrel{553-573K}{?}$  SiHCl3(l)+H2(g)+Q(Q>0)
  ⑤SiHCl3(g)+H2(g) $\stackrel{1373K}{?}$Si(純)+3HCl(g)
提高反應⑤中Si(純)的產率,可采取的措施有:降低壓強、升高溫度(或及時分離出HCl等).

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