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草酸（H₂C₂O₄）是一種二元弱酸，受熱能分解，它在水溶液中存在形式的分布與pH關系如圖所示：
（1）試寫出pH從3升至5的過程中反應的離子方程式：

HC₂O₄^-+OH^-=C₂O₄^2-+H₂O

HC₂O₄^-+OH^-=C₂O₄^2-+H₂O

（2）H₂C₂O₄溶液中，c（H⁺）/c（C₂O₄^2-）

＞

＞

2（填“＞”、“＜”或“=”）．
（3）H₂C₂O₄受熱能分解，分解方程式為：

H₂C₂O₄

加熱  .

CO↑+CO₂↑+H₂O

H₂C₂O₄

加熱  .

CO↑+CO₂↑+H₂O

（4）H₂C₂O₄是標定KMnO₄溶液濃度常用的基準物質．標定KMnO₄溶液濃度時，應將溶液加熱至75～85℃，溫度低于或高于該范圍時都不利于滴定結果的準確，理由是_________．
（5）下表為物質的量濃度相同的幾種酸對鐵銹及鍋爐水垢的溶解性的比較：

酸	鐵銹[Fe（OH）3]溶解量/g	水垢（CaCO3）溶解量/g
鹽酸	0.7911	全溶
磷酸	0.1586	微溶
草酸	0.7399	0.0036
醋酸	0.1788	0.1655

下列推斷可能正確的有

C

C

（填字母）．
A．酸性越強的酸除鐵銹效果越好
B．草酸除水垢效果差的原因是因為草酸酸性太弱
C．鐵銹或水垢在酸中的溶解性與酸根離子的性質可能有關
D．硫酸除鐵銹和水垢的效果都好．

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硅單質及其化合物應用范圍很廣,請回答下列問題：

（1）       制備硅半導體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl₃）還原法是當前制備高純硅的主要方法，生產過程示意圖如下：

	焦炭		HCl		提純

 

石英砂

SiHCl3(精)

SiHCl3(粗)

573K以上

粗硅

高溫

     

 

①寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學反應方程式　                 　。

②整個制備過程必須嚴格控制無水、無氧。SiHCl₃遇水劇烈反應生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質，寫出配平的化學反應方程式　　　                　         ；H₂還原SiHCl₃過程中若混0₂，可能引起的后果是                                      。

（2）下列有關說法正確的是           （填字母）。

A.碳化硅化學性質穩定，可用于生產耐高溫水泥

B.氮化硅硬度大、熔點高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

C.普通玻璃的成分有純堿、石灰石和石英砂，其熔點很高

D.鹽酸可以與硅反應，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入鹽酸溶液，振蕩,則反應的離子方程式是　 　                                                           。

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題號

1

2

3

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6

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答案

B

D

A

A

C

D

B

D

B

B

AC

AD

BC

C

15．（10分，每空2分）

（1）過濾(洗滌)  ；    蒸發濃縮、冷卻結晶，過濾

（2）連接好裝置，從漏斗向量氣筒內注入一定量的水，移動漏斗使左、右兩側形成液面高度差。靜置后，液面高度不再變化，即表明氣密性良好。（其他合理方法均給分）

（3）移動漏斗保持左、右兩側液面相平                 （4）%（2分）

16．（8分）（1）Al₄C₃；               (各1分，共2分)

（2）1.204×10²⁴（或2N_A）（2分）         （3）4NH₃+5O₂4NO+6H₂O（2分）

（4）AlO₂^－+CO₂+2H₂O＝Al(OH)₃↓+HCO₃^－（2分）；

17．（10分，每空2分）        （1）HC₂O₄^－+ OH^―= C₂O₄^2－+ H₂O    （2）＞

（3）H₂C₂O₄     CO↑+CO₂↑+H₂O

（4）溫度過低反應速率緩慢；溫度過高時，H₂C₂O₄在酸性溶液中會部分分解。(每個點1分 共2分)

（5）C

18．（10分）（1）保護臭氧層（1分）

（2）（2分）

（3）A（2分）

（4）①2KHCO₃K₂CO₃+CO₂↑+H₂O（2分）

②CO₂(g)+3H₂(g)            CH₃OH(g)+H₂O(g)  ΔH＝－49.47kJ•mol^－1（2分）

（5）B或D（B、D都選給分）（1分）

19．（12分，每空2分）

（1）反應①：加成反應；反應④：取代反應（2） A：CH₃CCN； G：

（3）B→C；CH₃CCOOH           CH₂＝CCOOH＋H₂O