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（2008?廣東）科學家一直致力于研究常溫、常壓下“人工固氮”的新方法．曾有實驗報道：在常溫、常壓、光照條件下，N₂在催化劑（摻有少量Fe₂O₃的TiO₂）表面與水發生反應，生成的主要產物為NH₃．進一步研究NH₃生成量與溫度的關系，部分實驗數據見表（光照、N₂壓力1.0×10⁵Pa、反應時間3h）：

T/K	303	313	323	353
NH3生成量/（10-6mol）	4.8	5.9	6.0	2.0

相應的熱化學方程式如下：N₂（g）+3H₂O（1）═2NH₃（g）+

3

2

O₂（g）△H₁=+765.2kJ?mol^-1
回答下列問題：
（1）請在答題卡的坐標圖中，畫出上述反應在有催化劑與無催化劑兩種情況下反應過程中體系能量變化示意圖，并進行必要標注．
（2）與目前廣泛使用的工業合成氨方法相比，該方法中固氮反應速率慢．請提出可提高其反應速率且增大NH₃生成量的建議：．
（3）工業合成氨的反應為N₂（g）+3H₂（g）2NH₃（g）．設在容積為2.0L的密閉容器中充入0.60mol N₂（g）和1.60molH₂（g），反應在一定條件下達到平衡時，NH₃的物質的量分數（NH₃的物質的量與反應體系中總的物質的量之比）為

4

7

．計算
①該條件下N₂的平衡轉化率；
②該條件下反應2NH₃（g）N₂（g）+3H₂（g）的平衡常數．

（2008?廣東）下列涉及有機物的性質或應用的說法不正確的是（　�。�

（2008?廣東）下列有關能量轉換的說法正確的是（　�。�

（2008?廣東）硅單質及其化合物應用范圍很廣．請回答下列問題：
（1）制備硅半導體材料必須先得到高純硅．三氯甲硅烷（SiHCl₃）還原法是當前制備高純硅的主要方法，生產過程示意圖如下：

①寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學反應方程式．
②整個制備過程必須嚴格控制無水無氧．SiHCl₃遇水劇烈反應生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質，寫出配平的化學反應方程式；H₂還原SiHCl₃過程中若混O₂，可能引起的后果是．
（2）下列有關硅材料的說法正確的是（填字母）．
A．碳化硅化學性質穩定，可用于生產耐高溫水混
B．氮化硅硬度大、熔點高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
C．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂的，其熔點很高
D．鹽酸可以與硅反應，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
（3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃．取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩．寫出實驗現象并給予解釋．