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在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極E、F、M、N,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在E、F間通入恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓.
(1)電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢(shì)較高?
(2)試證明:UH=K
IB
d
,K為與材料有關(guān)的常量.
(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?
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(1)根據(jù)左手定則,電子向N端偏轉(zhuǎn),則M點(diǎn)電勢(shì)高                         ①
(2)設(shè)前后兩個(gè)表面相距為L(zhǎng),電子所受的電場(chǎng)力等于洛侖茲力
e
UH
L
=evB
                      ②
設(shè)材料單位體積內(nèi)電子的個(gè)數(shù)為n,材料截面積為s
I=nesv                       ③
s=dL                ④
由②③④得:
UH=
BI
ned
                     ⑤

k=
1
ne
,則   UH=k
BI
d
       ⑥

(3)增大電流I、減小厚度d 和減小截流子的密度    
答:(1)M點(diǎn)電勢(shì)高.
(2)證明如上所示.
(3)增大電流I、減小厚度d 和減小截流子的密度
練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極E、F、M、N,它就形成了一個(gè)霍爾元件,如圖所示,在E、F間通入恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B,則薄片中的自由電荷就在洛倫茲力的作用下向著與電流和磁場(chǎng)都垂直的方向漂移,使M、N間出現(xiàn)了電壓.設(shè)薄片中的自由電荷為正電荷.下列說(shuō)法正確的是(  )

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(2009?鹽城模擬)在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極E、F、M、N,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在E、F間通入恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓.
(1)電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示,載流子是電子,M、N兩端中哪端電勢(shì)較高?
(2)試證明:UH=K
IBd
,K為與材料有關(guān)的常量.
(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極EFMN,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在EF間通入恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B,在M、N間出現(xiàn)了電壓UH ,稱為霍爾電壓。

(1)電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示,載流子是電子,MN兩端中哪端電勢(shì)較高?

(2)試證明:K為與材料有關(guān)的常量。

(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(19分)在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極EFMN,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在EF間通人恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B,在MN間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓。

(1)電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示,載流子是電子,MN兩端中哪端電勢(shì)較高?

(2)試證明: K為與材料有關(guān)的常量。

(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?[

 

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科目:高中物理 來(lái)源:福建省寧德三縣市2010屆高三第二次聯(lián)考(理綜)物理部分 題型:計(jì)算題

(19分)在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上,制作四個(gè)電極EFMN,它就成了一個(gè)霍爾元件(如圖),在EF間通人恒定的電流I,同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B,在MN間出現(xiàn)了電壓UH,稱為霍爾電壓。

(1)電流和磁場(chǎng)方向如圖中所示,載流子是電子,MN兩端中哪端電勢(shì)較高?

(2)試證明: K為與材料有關(guān)的常量。

(3)為了提高霍爾元件的靈敏度,可采用哪些方法?[

 

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