(2)速度方向沿y軸正方向射入磁場的質子到達x軸所需的時間。
(3)如上圖當質子速度方向與y軸成30°角且與x軸正方向成120°角射入磁場時,質子到達x軸的位置坐標以及質子從射入磁場到到達x軸所需的時間。
(1)由Bev=得v=
。
(2)若質子沿y軸正方向射入磁場,則以O1為圓心轉過圓弧后從A點垂直電場方向進入電場。
由T=得從O到A的時間:
tB=
進入電場后質子做類平拋運動,則位移:
y=r=
可知tE=
所以質子到達x軸所需的時間:t=tB+tE=
(3)質子射入磁場后,在磁場中以N為圓心做勻速圓周運動,從P點射出磁場如圖OMPN為邊長為r的菱形,PN//y軸則質子射出磁場后速度方向與x軸平行。由圖可知:P點坐標(rsin60°,r+rcos60°)
質子在電場中運動時間y′=
r+rcos60°==
,則t′E=
電場中質子的水平位移s=vt′E==
所以質子到達x軸的Q點坐標為(r+,0)
由T=得從O到P的時間t′B=
=
又tpp′=
所以,所需的時間tOQ=tB′+tE′+tPP′=。
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