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如圖所示，金屬正方形框架，abcd邊長L＝1m，每邊電阻為1Ω且ad、bc邊外層絕緣，放在粗糙的水平面上．光滑金屬棒MN電阻為0.5Ω，垂直于ab、cd放在框架上與框架接觸良好，整個裝置處于磁感應強度B＝1T的勻強磁場中，且磁場與線框平面垂直．棒MN在外力作用下以v＝6m／s的速度勻速向右運動，棒運動時，框架靜止不動，求棒運動到bc邊的過程中

(1)棒MN兩端最大電勢差．

(2)框架abcd受到的最大摩擦力．

答案：
解析：

　　(1)4V

　　(2)4.8N,方向水平向左

練習冊系列答案

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科目：高中物理 來源： 題型：

用密度為d、電阻率為ρ、橫截面積為A的薄金屬條制成邊長為L的閉合正方形框abb?a?．如圖所示，金屬方框水平放在磁極的狹縫間，方框平面與磁場方向平行．設勻強磁場僅存在于相對磁極之間，其他地方的磁場忽略不計．可認為方框的aa?邊和bb?邊都處在磁極間，極間磁感應強度大小為B．方框從靜止開始釋放，其平面在下落過程中保持水平（不計

空氣阻力設磁場區域在豎直方向足夠長）．
（1）當方框下落的加速度為

時，求方框的瞬時速度v₁
（2）方框下落的最大電功率多大？
（3）已知方框下落的時間為t時，下落的高度為h，其速度為v_t（v_t＜v_m）．若在同一時間t內，方框內產生的熱與一恒定電流I₀在該框內產生的熱相同，求恒定電流I₀的表達式．

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科目：高中物理 來源： 題型：

（1）求方框下落的最大速度v_m（設磁場區域在豎直方向足夠長）；
（2）若已知方框下落的時間為t時，下落的高度為h，其速度為v_t（v_t＜v_m）．則在同一時間t內，通過方框電流有效值為多少？

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2007?北京）用密度為d、電阻率為ρ、橫截面積為A的薄金屬條制成邊長為L的閉合正方形框abb′a′．如圖所示，金屬方框水平放在磁極的狹縫間，方框平面與磁場方向平行．設勻強磁場僅存在于相對磁極之間，其他地方的磁場忽略不計．可認為方框的aa′邊和bb′邊都處在磁極間，極間磁感應強度大小為B．方框從靜止開始釋放，其平面在下落過程中保持水平（不計空氣阻力）．
（1）求方框下落的最大速度v_m（設磁場區域在豎直方向足夠長）；
（2）當方框下落的加速度為

時，求方框的發熱功率P；
（3）已知方框下落的時間為t時，下落的高度為h，其速度為v_t（v_t＜v_m）．若在同一時間t內，方框內產生的熱與一恒定電流I₀在該框內產生的熱相同，求恒定電流I₀的表達式．

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科目：高中物理 來源： 題型：

用單位長度質量為m、單位長度電阻為r的薄金屬條制成邊長為L的閉合正方形框abb'a'．如圖所示，金屬方框水平放在磁極的狹縫間，方框平面與磁場方向平行．
設勻強磁場僅存在于相對磁極之間，其他地方的磁場忽略不計．可認為方框的aa'邊和bb'邊都處在磁極之間，極間磁感應強度大小為B．方框從靜止開始釋放，其平面在下落過程中保持水平（不計空氣阻力）

（1）求方框下落的最大速度v_m（設磁場區域在豎直方向足夠長）；
（2）當方框下落的加速度為

時，求方框的發熱功率P；
（3）已知方框下落時間為t時，下落高度為h，其速度為v_t（v_t＜v_m）．若在同一時間t內，方框內產生的熱與一恒定電流I₀在該框內產生的熱相同，求恒定電流I₀的表達式．

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