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下列敘述正確的是（           ）

A．物質燃燒都是放熱反應

B．化學反應總是伴隨著能量的變化

C．化學反應中放出的熱量一定等于吸收的熱量

D．化學反應中放出的熱才是反應熱

對下列化學反應熱現象，不正確的說法是（           ）

①放熱的反應發生時不必加熱　②化學反應一定有能量變化　③吸熱反應需要加熱后才能發生　④化學反應焓變的數值與參加反應物質的多少有關

A．①②               B．②③               C．①③               D．②④

下列說法正確的是（           ）

A．需要加熱才能發生的反應一定是吸熱反應

B．放熱的反應在常溫下一定很容易發生

C．反應是放熱還是吸熱必須看反應物和生成物所具有的總能量的相對大小

D．吸熱反應在一定的條件下也能發生

已知鹽酸或硫酸和燒堿的稀溶液反應的熱化學方程式為：

H⁺(aq)+OH^-(aq)=H₂O(l)；△H＝－Q₁kJ·mol^－1。已知，HF(aq)+KOH(aq)＝KF(aq)+H₂O(l)；△H＝－Q₂ kJ·mol^－1。則Q₁與Q₂關系正確的是（              ）

A．Q₁＝Q₂          B．Q₂＜Q₁          C．Q₂＞Q₁          D．無法比較

200mL 0.1mol·L^－1 Ba(OH)₂溶液和0.2mol·L^－1 300mL鹽酸混合，放出的熱量是（　　）

A．57.3 kJ                      B．1.9813 kJ           C．2.292 kJ             D．1.718 kJ

1.5g火箭燃料二甲基肼（CH₃－NH－NH－CH₃）完全燃燒，放出50 kJ熱量，則二甲基肼的燃燒熱為（             ）

A．1000kJ/mol                    C．2000kJ/mol

B．1500kJ/mol                            D．3000kJ/mol

已知拆開1mol H－H鍵需436kJ熱量，拆開1molN－H鍵需391kJ的熱量，根據化學方程式N₂+3H₂2NH₃；Q＝－92.4kJ，則拆開1molN≡N鍵需要的熱量為（　　　）

A．431kJ           B．946 kJ         C．649 kJ         D．869 kJ

已知SiO₂、SO₂和CO₂都是酸性氧化物，化學性質具有一定       的相似性；Mg和Na的化學性質也具有一定的相似性。

Ⅰ.用如上圖所示裝置進行Mg和SO₂的實驗，其中A是制備SO₂的發生裝置。

(1)選擇制取SO₂的合適試劑______________(填序號)。

①10%的H₂SO₄溶液　②80%的H₂SO₄溶液

③Na₂SO₃固體　④CaSO₄固體

(2)寫出裝置B中發生的主要反應的化學方程式：

________________________________________________________________________

______________________。裝置C中NaOH溶液的作用是_______________。

(3)請在圖中畫出制備SO₂的發生裝置并注明主要儀器的名稱，固定儀器省略不畫。

(4)你認為該裝置的不足之處是

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________。

Ⅱ.某研究性學習小組進行了“實驗室制Si”的研究，他們以課本為基礎，查閱資料得到      以下可供參考的信息：①工業上在高溫時用C還原SiO₂可制得Si　②Mg在點燃的條件    下即可與SiO₂反應　③金屬硅化物與稀H₂SO₄反應生成硫酸鹽與SiH₄　④Si和SiO₂均      不與稀H₂SO₄反應

⑤SiH₄在空氣中自燃

他們在研究報告中記載著：“……選用合適的物質在適宜的條件下充分反應，再用足量       稀硫酸溶解固體產物；然后過濾、洗滌、干燥，最后稱量……在用稀硫酸溶解固體產物           時，發現有爆鳴聲和火花，其產率也只有預期值的63%左右。”

(5)該小組“實驗室制Si”的化學方程式是

________________________________________________________________________。

(6)你估計“用稀硫酸溶解固體產物時，發現有爆鳴聲和火花”的原因是

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________。

已知A～I有如圖所示轉換關系：

已知：①單質E可作為半導體材料；

②化合物F是不能生成鹽的氧化物；

③化合物Ⅰ能溶于水呈酸性，它能夠跟氧化物A起反應。

據此，請填空：

(1)化合物F是________。

(2)化合物Ⅰ是____________。

(3)反應③的化學方程式是

________________________________________________________________________。

(4)反應④的化學方程式是

________________________________________________________________________。

(5)寫出Ⅰ的水溶液與A反應的方程式：

________________________________________________________________________。

硅單質及其化合物應用范圍很廣。請回答下列問題：

(1)制備硅半導體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl₃)還原法是當前制備高純硅  的主要方法，生產過程示意圖如下：

①     寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學反應方程式

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________。

②     整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl₃遇水劇烈反應生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質，寫出配平的化學反應方程式

________________________________________________________________________；

H₂還原SiHCl₃過程中若混入O₂，可能引起的后果是

________________________________________________________________________。

(2)下列有關硅材料的說法正確的是________(填字母)。

A．碳化硅化學性質穩定，可用于生產耐高溫水泥

B．氮化硅硬度大、熔點高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導纖維

D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點很高

E．鹽酸可以與硅反應，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，      振蕩。寫出實驗現象并給予解釋：

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________。