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8.實驗室中,下列藥品保存方法正確的是(  )
①白磷保存在冷水中  
②鈉,鉀保存在水里 
③HF溶液保存在塑料瓶中 
④Na2CO3溶液保存在帶橡膠塞的試劑瓶內 
⑤濃硝酸保存在棕色廣口瓶內.
A.①③④B.③④C.①②③④D.①②③④⑤

分析 ①白磷的著火點低,易自燃;
②Na、K均與水反應;
③HF與二氧化硅反應,與塑料不反應;
④碳酸鈉溶液與二氧化硅反應;
⑤濃硝酸光照分解,為液體.

解答 解:①白磷的著火點低,易自燃,則白磷保存在冷水中,故正確;
②Na、K均與水反應,不能保存在水中,一般保存在煤油中,故錯誤;
③HF與二氧化硅反應,與塑料不反應,則HF溶液保存在塑料瓶中,故正確;
④碳酸鈉溶液與二氧化硅反應,不能使用玻璃塞,則Na2CO3溶液保存在帶橡膠塞的試劑瓶內,故正確;
⑤濃硝酸光照分解,為液體,則濃硝酸保存在棕色細口瓶內,固體在廣口瓶中,故錯誤;
故選A.

點評 本題考查化學實驗方案的評價,為高頻考點,把握物質的性質、實驗的保存為解答的關鍵,側重分析與評價能力的考查,注意性質決定試劑的保存方法,題目難度不大.

練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:選擇題

5.下列有關氧化還原反應的說法正確的是(  )
A.陽離子只有氧化性,陰離子只有還原性
B.還原劑得電子總數與氧化劑失電子總數相等
C.氧化還原反應中的反應物,不是氧化劑就是還原劑
D.非金屬元素的最高價氧化物的水化物不一定都具有強氧化性

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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題

6.下列實驗用來證明氣體SO2的存在,其中正確的是(  )
①能使品紅溶液褪色    
②能使濕潤的藍色石蕊試紙變紅   
③能使澄清的石灰水變渾濁
④通入足量的NaOH溶液中,再滴入BaCl2溶液,有白色沉淀生成,該沉淀溶于鹽酸
⑤通入到溴水使其褪色,再滴入Ba(NO32溶液,有白色沉淀生成.
A.①②④⑤B.都不能證明C.①⑤能證明D.只有⑤能證明

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科目:高中化學 來源: 題型:解答題

3.某烴中含有碳原子數為3,且含碳元素的質量分數為85.7%,且在空氣燃燒時有大量黑煙(M空氣設為29).
(1)該烴的分子式為C3H6,若該烴能使高錳酸鉀溶液褪色,其結構簡式可能為CH3CH=CH2
(2)該烯烴與溴單質加成的方程式為CH3CH=CH2+Br2→CH3CHBrCH2Br.

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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題

3.下列物質的使用,不涉及化學變化的是(  )
A.氫氟酸刻蝕玻璃B.生石灰做干燥劑
C.液氨做制冷劑D.氫氧化鋁可作胃酸中和劑

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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題

13.下列變化:①氮的固定(天然)②熾熱的碳和濃硝酸反應 ③實驗室制取氨氣,按氮元素被氧化,被還原,既不被氧化也不被還原的順序排列,正確的是(  )
A.③②①B.②①③C.①②③D.③①②

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科目:高中化學 來源: 題型:填空題

20.5molNa2CO3中含有Na+數目是10NA,含有CO${\;}_{3}^{2-}$的離子數是5NA,含有的O原子數是15NA

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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題

17.常溫下0.1mol/L氨水溶液的pH=a,下列能使溶液pH=(a-1)的措施是(  )
A.將溶液稀釋到原體積的10倍B.加入適量的氯化銨固體
C.加入等體積0.1 mol/L燒堿溶液D.加入等體積0.1 mol/L鹽酸

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科目:高中化學 來源: 題型:解答題

18.以氮化鎵(GaN)、碳化硅、金剛石等為代表的第三代半導體材料具有高發光效率、抗腐蝕、化學穩定性好、高強度等特性,是目前最先進的半導體材料.
完成下列填空:
(1)組成上述三種半導體材料的各種元素中,原子半徑最小的元素在周期表中的位置是第二周期第ⅤA主族.原子序數最小的元素原子的核外電子排布式是1s22s22p2
(2)鎵元素的相對原子質量為69.72,自然界中的鎵共有兩種穩定的同位素,其中69Ga的原子個數百分含量為60.1%,則另一種鎵的同位素可表示為3171Ga.
(3)鎵、鋁為同族元素,性質相似.下表是兩種兩性氫氧化物的電離常數.
兩性氫氧化物Al(OH)3Ga(OH)3
酸式電離常數Kia2×10-111×10-7
堿式電離常數Kib1.3×10-331.4×10-34
①寫出氫氧化鎵的電離方程式:H++H2O+GaO2-?Ga(OH)3?Ga3++3OH-
②將一塊鎵鋁合金完全溶于燒堿溶液,再往反應后的溶液中緩緩通入CO2,最先析出的氫氧化物是Al(OH)3
(4)碳化硅單晶是目前技術最成熟的第三代半導體材料.下列能說明碳的非金屬性強于硅的反應(或反應組)是ac(選填編號)
a.SiO32-+2CO2+2H2O→H2SiO3+2HCO3-
b.SiO2+2C$\stackrel{高溫}{→}$Si+2CO↑
c.SiH4$\stackrel{500℃}{→}$Si+2H2;CH4$\stackrel{>1000℃}{→}$C+2H2
d.Si+O2$\stackrel{900℃}{→}$SiO2;C+O2$\stackrel{300℃}{→}$CO2

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