Question

下列說(shuō)法正確的是（　　）

A．4.0g碳化硅晶體中所含C-Si數(shù)為0.4NA

B．PCl3、BF3、HClO這些分子中每個(gè)原子都達(dá)到了8電子結(jié)構(gòu)

C．電解精煉銅時(shí)，當(dāng)陽(yáng)極質(zhì)量減少3.2 g時(shí)，電路中轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為0.1NA

D．若H+（aq）+OH-（aq）=H2O（l）；△H=-57.3kJ?mol-1，則含Ba（OH）2 1 mol溶液與1 mol稀H2SO4反應(yīng)放出的熱量為114.6 kJ

Answer 1

A、4.0g碳化硅晶體的物質(zhì)的量為

4g

40g/mol

=0.1mol，每個(gè)C原子掌握有4個(gè)Si原子，每個(gè)Si原子掌握有4個(gè)C原子，每個(gè)C原子呈4個(gè)C-Si鍵，所以含有的C-Si鍵數(shù)目為0.1mol×4×N_Amol^-1=0.4N_A，故A正確；
B、PCl₃中各原子滿(mǎn)足8電子結(jié)構(gòu)，BF₃中B原子、HClO中H原子不滿(mǎn)足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，故B錯(cuò)誤；
C、電解精煉銅時(shí)，陽(yáng)極失電子的物質(zhì)除銅外，其它部分雜質(zhì)也發(fā)生氧化反應(yīng)，當(dāng)陽(yáng)極質(zhì)量減少3.2 g時(shí)，電路中轉(zhuǎn)移的電子數(shù)不一定為0.1N_A，故C錯(cuò)誤；
D、Ba（OH）₂ 1 mol溶液與1 mol稀H₂SO₄反應(yīng)生成2mol水與1mol硫酸鋇沉淀，生成硫酸鋇沉淀也放出熱量，所以放出的熱量應(yīng)大于114.6 kJ，故D錯(cuò)誤；
故選A．