Question

【題目】坦桑石是一種世界公認的新興寶石，這種寶石于1967年首次在赤道雪山腳下的阿魯沙地區被發現。坦桑石的主要化學成分為，還可含有V、Cr、Mn等元素。

下列狀態的鋁中，電離最外層的一個電子所需能量最大的是________填序號。

① ② ③ ④

煙酸鉻是鉻的一種化合物，其合成過程如下：

核外電子排布式為________。

、C、N、O的電負性由大到小的順序是_________。

煙酸中碳、氮原子的雜化方式分別為________、________。

分子中的大鍵可用符號表示，其中m代表參與形成大鍵的原子數，n代表參與形成大鍵的電子數如二氧化碳分子中的大鍵可表示為，則煙酸中的大鍵應表示為___________。

、都極易水解。、都屬于______填“極性”或“非極性”分子，其熔點的關系為________填“”“”或“”。

將Mn摻入GaAs晶體圖甲可得到稀磁性半導體材料圖乙，圖甲、圖乙晶體結構不變。

圖乙中a點和b點的原子坐標參數分別為0，和1，，則c點的原子坐標參數為________。

設圖甲晶體的密度為，用表示阿伏加德羅常數的數值，則該晶胞中距離最近的兩個鎵原子之間的距離為________________pm。

Answer 1

【答案】 非極性

【解析】

依據鋁的第三電離能大于第二電離能，大于第一電離能判斷；

Cr為24號元素，基態原子核外電子排布式為；

已知H、C、N、O四種中，H的電負性最小，而C、N、O處于同周期，電負性自左而右增大；

煙酸中雜環上的碳、氮原子含有2個鍵和一個孤電子對；

煙酸中雜環上的碳原子和氮原子均以雜化軌道相互重疊形成鍵，構成一個平面六元環，且六個原子上有一個p軌道垂直于環平面，每個p軌道中有一個電子，這些p軌道側面重疊形成一個封閉的大鍵，電子數目為6；

，分子空間構型都為正四面體結構，所以它們都屬于非極性分子；

a點和b點的原子坐標參數分別為0，和1，，而c點所在的位置為一個正方形的中心；

先用均攤法確定GaAs晶體的化學式，即Ga原子數為，而As正好處于晶胞體內，As原子個數為4，因此GaAs晶體的化學式為，其摩爾質量為，則一個晶胞質量為，由m的出晶胞體積，再計算邊長即可。

依據鋁的第三電離能大于第二電離能，大于第一電離能；基態大于激發態，故所需的能量最大，故答案為：；

Cr為24號元素，基態原子核外電子排布式為，則核外電子排布式為；

已知H、C、N、O四種中，H的電負性最小，而C、N、O處于同周期，電負性自左而右增大，所以它們電負性由大到小排列為；

煙酸中雜環上的碳、氮原子含有2個鍵和一個孤電子對，且支鏈羧基碳原子也是雜化，所以煙酸中C、N原子的雜化軌道類型為；

煙酸中雜環上的碳原子和氮原子均以雜化軌道相互重疊形成鍵，構成一個平面六元環，且六個原子上有一個p軌道垂直于環平面，每個p軌道中有一個電子，這些p軌道側面重疊形成一個封閉的大鍵，電子數目為6，則煙酸中的大鍵應表示為；

，分子空間構型都為正四面體結構，所以它們都屬于非極性分子；而相對分子質量越大，分子間作用力越大，其熔點關系：；

a點和b點的原子坐標參數分別為0，和1，，而c點所在的位置為一個正方形的中心，則c點的原子坐標參數為；

先用均攤法確定GaAs晶體的化學式，即Ga原子數為，而As正好處于晶胞體內，As原子個數為4，因此GaAs晶體的化學式為，其摩爾質量為，則一個晶胞質量為，由m的出晶胞體積則邊長為，而甲晶體中最近的兩個Ga原子正好位于面心和頂點，距離為。