VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現出多種氧化態,含VIA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途。請回答下列問題:
(1)S單質的常見形式為S8,其環狀結構如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;
(2)原子的第一電離能是指氣態電中性基態原子失去一個電子轉化為氣態基態正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為______;
(3)Se原子序數為______,其核外M層電子的排布式為______;
(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強”或“弱”)。氣態SeO3分子的立體構型為______平面三角形,SO32-離子的立體構型為______三角錐形;
(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請根據結構與性質的關系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:__________;
第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子;
②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:______;
(6)ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業中應用廣泛。立方ZnS晶體結構如下圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為____________(列式并計算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。
科目:高中化學 來源:2013-2014學年江西省贛州市高三上學期期末聯考理綜化學試卷(解析版) 題型:填空題
VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現出多種氧化態,含VIA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途。請回答下列問題:
(1)S單質的常見形式為S8,其環狀結構如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;
(2)原子的第一電離能是指氣態電中性基態原子失去一個電子轉化為氣態基態正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為______;
(3)Se原子序數為______,其核外M層電子的排布式為______;
(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強”或“弱”)。氣態SeO3分子的立體構型為______平面三角形,SO32-離子的立體構型為______三角錐形;
(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請根據結構與性質的關系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因: ;第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子;
②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:______;
(6)ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業中應用廣泛。立方ZnS晶體結構如圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為____________(列式并計算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。
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