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VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:

(1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;

(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_____;

(3)Se原子序數(shù)為______,其核外M層電子的排布式為______;

(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為______平面三角形,SO32離子的立體構(gòu)型為______三角錐形;

(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×103和2.5×108,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×102,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:

①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:                    ;第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子;

②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:______;

(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為____________(列式并計(jì)算),a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

 

 

【答案】

(1)sp3

(2)O>S>Se;

(3)34;3s23p63d10

(4)強(qiáng);平面三角形;三角錐形;

(5)①H2SeO3和H2SeO4可表示為 (HO)SeO和 (HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價(jià),而H2SeO4中Se為+6價(jià),正電性更高.導(dǎo)致Se﹣O﹣H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+

(6)

【解析】

試題分析:(1)由S8分子結(jié)構(gòu)可知,在S8分子中S原子成鍵電子對數(shù)為2,孤電子對數(shù)為2,即價(jià)層電子對數(shù)為4,因此S原子采用的雜化軌道方式為sp3,故答案為:sp3;(2)同主族元素從上到下元素的第一電離能逐漸減小,則有O>S>Se,故答案為:O>S>Se;

(3)Se位于元素周期表第四周期第ⅥA族,原子序數(shù)為34,其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p4,則核外M層電子的排布式為3s23p63d10,故答案為:34;3s23p63d10;(4)同主族元素對應(yīng)的氫化物中,元素的非金屬性越強(qiáng),對應(yīng)的氫化物的酸性越弱,則H2Se的酸性比H2S強(qiáng),氣態(tài)SeO3分子中Se形成3個(gè)δ鍵,沒有孤電子對,為平面三角形分子,SO32中S形成3個(gè)δ鍵,孤電子對數(shù)為=1,則為三角錐形,

故答案為:強(qiáng);平面三角形;三角錐形;(5)①酸第一步電離產(chǎn)生的酸根陰離子帶有負(fù)電荷,吸引H+,同時(shí)產(chǎn)生的H+抑制第二步電離,所以H2SeO4和H2SeO3第一步電離程度大于第二部電離程度,導(dǎo)致第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子,故答案為:第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子;

②H2SeO3的分子結(jié)構(gòu)為,Se為+4價(jià),而H2SeO4的分子結(jié)構(gòu)為,Se為+6價(jià),后者Se原子吸電子能力強(qiáng),導(dǎo)致Se﹣O﹣H中的O原子更向Se偏移,則羥基上氫原子更容易電離出H+,故答案為:H2SeO3和H2SeO4可表示為 (HO)SeO和 (HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價(jià),而H2SeO4中Se為+6價(jià),正電性更高.導(dǎo)致Se﹣O﹣H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+;(6)晶胞中含有S離子位于頂點(diǎn)和面心,共含有+6×=4,Zn離子位于體心,共4個(gè),則晶胞中平均含有4個(gè)ZnS,質(zhì)量為,晶胞的體積為(540.0×1010cm)3,則密度為g•cm3

四個(gè)Zn2+在體內(nèi)的四個(gè)小立方體的中心,不在同一平面上,過b向上面作垂線,構(gòu)成直角三角形,兩邊分別為a,即可求出斜邊為a(a 為晶胞邊長),則a位置S2離子與b位置Zn2+離子之間的距離為×540.0pm=135pm或

故答案為:

考點(diǎn):本題綜合考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)相關(guān)知識,涉及雜化軌道、第一電離能、電負(fù)性、電子排布式、分子的立體構(gòu)型、晶胞的計(jì)算等。

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

    VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:

    (1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;

    (2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_____;

    (3)Se原子序數(shù)為______,其核外M層電子的排布式為______;

    (4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為______平面三角形,SO32離子的立體構(gòu)型為______三角錐形;

    (5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×103和2.5×108,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×102,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:

    ①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:__________;

    第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子;

    ②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:______;

(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為____________(列式并計(jì)算),a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

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