Question

7．A、B、C、D、E屬于短周期元素，原子序數依次增大，已知A 與E同主族，B、C、D、E同周期，A與B可形成兩種離子化合物甲和乙，在甲中A、B 離子的電子層結構相同；C的簡單離子半徑是同周期所有離子中最小的，高純度的D單質可制造芯片；又知 C、D的單質都能與強堿溶液反應．
（1）寫出：AO       DSi（元素符號）
（2）寫出乙的化學式Na₂O₂，化合物乙所含化學鍵類型離子鍵、共價鍵
（3）E元素在周期表中的位置是第三周期第ⅥA族
（4）畫出B的原子結構示意圖；
（5）C單質與NaOH溶液反應的離子方程式2Al+2OH^-+2H₂O=2AlO₂^-+3H₂↑；
（6）舉出C單質在工業上的一種重要用途（必須用化學方程式表示）2Al+Fe₂O₃$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Al₂O₃+2Fe．

Answer 1

分析 A、B、C、D、E屬于短周期元素，原子序數依次增大，高純度的D單質可制造芯片，C、D的單質都能與強堿溶液反應，C的簡單離子半徑是同周期所有離子中最小的，則D為Si，C為Al；B、C、D、E同周期，所以B、C、D、E在第三周期，A與B可形成兩種離子化合物甲和乙，A與E同主族，E的原子序數大于Si，且在甲中氧離子與鈉離子的電子層結構相同，可推知A為氧，B為鈉，E為硫，甲為氧化鈉（Na₂O），乙為過氧化鈉（Na₂O₂ ），據此解答．

解答 解：A、B、C、D、E屬于短周期元素，原子序數依次增大，高純度的D單質可制造芯片，C、D的單質都能與強堿溶液反應，C的簡單離子半徑是同周期所有離子中最小的，則D為Si，C為Al；B、C、D、E同周期，所以B、C、D、E在第三周期，A與B可形成兩種離子化合物甲和乙，A與E同主族，E的原子序數大于Si，且在甲中氧離子與鈉離子的電子層結構相同，可推知A為氧，B為鈉，E為硫，甲為氧化鈉（Na₂O），乙為過氧化鈉（Na₂O₂ ）．
（1）由上述分析可知，A為O元素，D為Si元素，故答案為：O；Si；
（2）乙為Na₂O₂，含有離子鍵、共價鍵，故答案為：Na₂O₂；離子鍵、共價鍵；
（3）E為硫元素，有3個電子層，最外層有6個電子，處于第三周期第ⅥA族，故答案為：第三周期第ⅥA族；
（4）B為鈉，Na有3個電子層，最外層1個電子，原子結構示意圖為：，故答案為：；
（5）Al與氫氧化鈉、水反應生成偏鋁酸鈉和氫氣，離子反應方程式為：2Al+2OH^-+2H₂O=2AlO₂^-+3H₂↑；
故答案為：2Al+2OH^-+2H₂O=2AlO₂^-+3H₂↑；
（6）Al在工業上常做還原劑，由于冶煉金屬，比如Al與氧化鐵反應，化學反應方程式為：2Al+Fe₂O₃$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Al₂O₃+2Fe，故答案為：2Al+Fe₂O₃$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Al₂O₃+2Fe．

點評 本題考查結構性質位置關系綜合應用，涉及元素化合物推斷、核外電子排布、化學鍵、方程式書寫等，側重對基礎知識的鞏固．