下面的排序不正確的是
A．晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CI4 B．熔點(diǎn)由高到低：Na>Mg>Al
C．硬度由大到小：金剛石>碳化硅>晶體硅 D．晶格能由大到小： NaF> NaCl> NaBr>NaI
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：
| A、電負(fù)性的大小：Cl＞S＞Al＞Mg | B、硬度由大到小：金剛石＞碳化硅＞晶體硅 | C、熔點(diǎn)由高到低：石英＞食鹽＞干冰＞鈉 | D、晶格能由大到小：NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI |
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：
下面的排序不正確的是
A．晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CCI4
B．硬度由大到小：金剛石>碳化硅>晶體硅
C．熔點(diǎn)由高到低：Na>Mg>Al
D．晶格能由大到小：NaF> NaCl> NaBr>NaI
【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體，其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān)，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng)，硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小，共價(jià)鍵越強(qiáng)，碳原子比較小于硅原子半徑，所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體，金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān)，陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，所以熔點(diǎn)由高到低是Na＜Mg＜Al，C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體，形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，所以D是正確的。答案選C。
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科目：高中化學(xué) 來源：2013屆山西省高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題
下面的排序不正確的是
A．晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CCI4
B．硬度由大到小：金剛石>碳化硅>晶體硅
C．熔點(diǎn)由高到低：Na>Mg>Al
D．晶格能由大到小：NaF> NaCl> NaBr>NaI
【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體，其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān)，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng)，硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小，共價(jià)鍵越強(qiáng)，碳原子比較小于硅原子半徑，所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體，金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān)，陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，所以熔點(diǎn)由高到低是Na＜Mg＜Al，C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體，形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，所以D是正確的。答案選C。
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