Question

【題目】砷化鎵（GaAs）是優良的半導體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等，氮、磷、砷位于同一主族，回答下列問題：

（1）寫出基態As原子的核外電子排布式________________________。

（2）根據元素周期律，原子半徑Ga As，第一電離能Ga As。（填“大于”或“小于”）

（3）氮原子的L層中有__________對成對電子，NH4+的立體構型是__________，其中心原子的雜化方式為__________；PCl3屬于含有 鍵的 分子（填“極性”或“非極性”）。

Answer 1

【答案】（1）[Ar]3d104s24p3或1s22s22p63s23p63d104s24p3

（2）大于；小于（3）1；正四面體；sp3；極性；極性

【解析】

試題分析：（1）As是33號元素，則基態As原子的核外電子排布式為[Ar] 3d104s24p3或1s22s22p63s23p63d104s24p3；

（2）同周期自左向右原子半徑逐漸減小，則原子半徑Ga大于As；同周期自左向右第一電離能逐漸增大，則第一電離能Ga小于As。

（3）氮原子的核外電子排布式為1s22s22p3，則L層中有1對成對電子，NH4+中N元素含有的價層電子對數是4，且不存在孤對電子，所以其立體構型是正四面體型，其中心原子的雜化方式為sp3；PCl3是三角錐形結構，屬于含有極性鍵的極性分子。