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16．下列說法不正確的是（　　）

	A．	碳酸銨在室溫下能自發發生分解，是由于反應生成了易揮發的氣體，使體系的熵增大
	B．	同一種物質氣態時熵值最大，液態時次之，而固態時熵值最小
	C．	與外界隔離的體系，自發過程將導致體系的熵減小
	D．	在一定條件下，非自發進行的反應也能夠發生

分析 A．熵增代表混亂度增大，從化學方程式分析混亂度的變化，熵增的反應大多具有自發性；
B．熵是指體系的混亂度，同物質氣體熵大于液體大于固體；
C．自發過程體系的熵變不一定小于零；
D．改變條件后，自發進行的反應也能夠發生．

解答解：A．碳酸銨固體分解生成了二氧化碳、氨氣和水，體系的混亂度增大，即熵增大，熵增的反應大多具有自發性，故A正確；
B．熵是指體系的混亂度，同物質氣體熵大于液體大于固體；同種物質氣態時熵值最大，固態時熵值最小，故B正確；
C．只有△H-T△S＜0，反應能自發進行，與外界隔離的體系，自發過程將導致體系的熵可能增大，也可能減小，故C錯誤；
D．自發進行只能說明反應進行的方向，不能說明反應發生的難易和快慢，有些非自發進行的反應在一定條件下也可以發生，故D正確；
故選C．

點評本題考查反應熱與焓變的應用，題目難度中等，注意物質的熵的含義理解，明確反應自發進行的判斷依據，掌握基礎是解題關鍵，試題培養了學生的靈活應用能力．

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科目：高中化學 來源： 題型：解答題

6．某研究小組利用含少量Fe²⁺的硫酸銨酸性廢液制取銨明礬[NH₄Al（SO₄）₂•12H₂O]的流程如下：

（1）H₂O₂的電子式為

．
（2）濾渣的主要成分為Fe（OH）₃（填寫化學式）．
（3）“除雜”過程中加入雙氧水的目的是（用離子方程式回答）2Fe²⁺+H₂O₂+2H⁺=2Fe³⁺+2H₂O．
（4）“結晶”操作中，母液經蒸發濃縮至溶液表面剛出現薄層晶體即停止加熱，然后冷卻結晶，得到銨明礬晶體（含結晶水），母液不能蒸干的原因是防止晶體失去結晶水．
（5）固體銨明礬加熱過程中，固體殘留率（固體殘留率=$\frac{剩余固體的質量}{原來固體的質量}$×100%）隨溫度的變化如圖所示．

①取A物質溶于水配成溶液，加入過量NaOH溶液充分混合，加熱，發生反應的離子方程式為NH₄⁺+Al³⁺+5OH^-$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$AlO₂^-+NH₃↑+3H₂O．
②B物質的化學式為Al₂（SO₄）₃．
③若將B物質加熱至975℃灼燒，得到的主要產物為C和一種氧化性氣體，取等量C分別與足量的NaOH溶液和稀硫酸反應，消耗NaOH和硫酸的物質的量之比為2：3．

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科目：高中化學 來源： 題型：選擇題

7．將在120℃、101KPa的條件下由烴A和烯烴B組成的2L混合氣體，與足量的氧氣混合并點燃，使A、B完全燃燒．恢復到原來的溫度和壓強時測得生成4L二氧化碳和4.8L水，B在A、B混合氣體中所占的體積分數是（　　）

A．

60%

B．

40%

C．

30%

D．

70%

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科目：高中化學 來源： 題型：實驗題

4．亞磷酸二乙酯[HPO（OC₂H₅）₂]為重要的阻燃增塑劑．實驗室采用三氯化磷和無水乙醇制備亞磷酸二乙酯PCl₃+4C₂H₅OH→HPO（OC₂H₅）₂+HCl↑+2C₂H₅Cl+H₂O；
實驗步驟如下：
①將40mL三氯甲烷和36.8g（0.8mol）無水乙醇混合后加入250mL三頸燒瓶中．
②從儀器A中滴加20mL三氯甲烷和27.5g （0.2mol）PCl₃混合溶液，用冰水控溫6～8℃，開動攪拌器，約1h滴加完畢．
③將反應物倒入燒杯中，用10%的碳酸鈉溶液中和至pH為7～8，再用去離子水洗滌三次，在儀器B中分離．
④減壓蒸餾，收集產品，得23.32g產品．
（1）裝置圖中儀器A叫做恒壓滴液漏斗，與分液漏斗比，滴液時的優點是使溶液能順利滴下（或能使恒壓滴液漏斗上下壓強相等）；
步驟③中儀器B名稱為分液漏斗，圖中NaOH溶液的作用為吸收生成的HCl．
（2）用碳酸鈉溶液洗滌的目的是除去PCl₃、HCl等酸性物質；用去離子水洗滌的目的是除去Na₂CO₃等鹽及部分C₂H₅OH．
（3）減壓蒸餾除得到產品外還可回收的有機物有CHCl₃、C₂H₅Cl、C₂H₅OH（寫兩個的結構簡式）．
（4）從無水乙醇利用角度計算，本次實驗產率為84.5%（填數值）．

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科目：高中化學 來源： 題型：實驗題

11．晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅；
②粗硅與干燥 HCl 氣體反應制得 SiHCl₃：Si+3HCl$\frac{\underline{\;300℃\;}}{\;}$SiHCl₃+H₂；
③SiHCl₃與過量 H₂在1 000～1 100℃反應制得純硅．已知 SiHCl₃能與 H₂O 強烈反應，在空氣中易自燃．
請回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學方程式為SiO₂+2C $\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2CO↑．
（2）粗硅與 HCl 反應完全后，經冷凝得到的 SiHCl₃（沸點33.0℃）中含有少量 SiCl₄（沸點 57.6℃）和 HCl（沸點-84.7℃），提純 SiHCl₃采用的方法為分餾．
（3）用 SiHCl₃與過量 H₂反應制備純硅的裝置如圖（熱源及夾持裝置略去）：

①裝置B中的試劑是濃硫酸．裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是使滴入燒瓶中的SiHCl₃氣化．
②裝置D中發生反應的化學方程式為SiHCl₃+H₂$\frac{\underline{\;1000-1100℃\;}}{\;}$Si+3HCl．
③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及通一段時間H₂，將裝置中的空氣排盡；． ④SiHCl₃遇水劇烈反應生成 H₂SiO₃、HCl 和另一種物質，寫出配平的化學方程式SiHCl₃+3H₂O═H₂SiO₃+H₂↑+3HCl．

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科目：高中化學 來源： 題型：推斷題

1．用質量分數為98%，密度為1.84g•cm^-3的濃硫酸配制100mL物質的量濃度為1mol/L的稀硫酸．
（1）需要使用的主要儀器有量筒、燒杯、玻璃棒、100ml容量瓶、膠頭滴管．
（2）其操作步驟可分解為以下幾步：
A．用量筒量取5.4mL濃硫酸，緩緩注入裝有約50mL蒸餾水的燒杯里，并用玻璃棒攪拌
B．用約30mL蒸餾水分三次洗滌燒杯和玻璃棒，將每次的洗液都倒入容量瓶里
C．將稀釋后的硫酸小心地用玻璃棒引流容量瓶里
D．檢查100mL容量瓶，是否漏水
E．將蒸餾水直接加入容量瓶，至液面接近刻度線1-2cm
F．蓋緊瓶塞，反復顛倒振蕩，搖勻溶液
G．用膠頭滴管向容量瓶里逐滴加入蒸餾水，到液面最低點恰好與刻線相切
請據此填寫：
①完成上述步驟中的空白處．
②正確的操作順序是（用字母填寫）：
D→A→C→B→E→G→F．
③進行A步操作時，選用量筒的規格是A．（選填字母）
A．10mLB．50mLC．100mLD．1000mL
④如果對裝有濃硫酸的量筒仰視讀數，配制的稀硫酸濃度將偏高（選填“偏高”、“偏低”、“無影響”）．
⑤A步驟操作完成時，必須后冷卻至室溫，才能進行后面的操作．

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科目：高中化學 來源： 題型：解答題

8．在一個容積為3L的密閉容器里進行如下反應N₂（g）+3H₂（g）?2NH₃（g），反應開始時n（N₂）=1.5mol，n（H₂）=4.4mol，2min末n（H₂）=3.5mol．則：
（1）用NH₃的濃度變化來表示該反應的速率為0.1mol•L^-1•min^-1；
（2）2min末時N₂的濃度為0.4mol•L^-1；
（3）氮氣的轉化率為20%．

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科目：高中化學 來源： 題型：選擇題

5．下列反應屬于氧化還原反應的是（　　）

	A．	CO+H₂O$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$H₂+CO₂		B．	CaCO₃+H₂O+CO₂═Ca（HCO₃）₂
	C．	CuO+2HCl═CuCl₂+H₂O		D．	CaCO₃$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$CaO+CO₂↑

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科目：高中化學 來源： 題型：實驗題

6．把18.0mol/L的濃硫酸稀釋成1.8mol/L的稀硫酸100ml，實驗操作如下：
A．將配好的稀硫酸倒入試劑瓶中，貼好標簽；
B．蓋好容量瓶塞，反復顛倒，搖勻；
C．用量筒取10.0mL的18.0mol/L的濃硫酸；
D．將濃硫酸沿燒杯內壁慢慢注入盛有少量水的燒杯中；
E．用少量蒸餾水洗滌燒杯2-3次，并將洗滌液也全部轉移到容量瓶中；
F．將已冷卻至室溫的硫酸溶液沿玻璃棒注入100mL的容量瓶中；
G．改用膠頭滴管逐滴加蒸餾水，使溶液凹面恰好與刻度相切；
H．繼續向容量瓶加蒸餾水，直到液面接近刻度線1-2cm處．
（1）填寫上述步驟中的空白；
（2）請按正確的操作步驟進行排序C D F E H G B A．
（3）試分析下列操作會使所配溶液的濃度會大于1.80mol/L濃度AB
A．用量筒取濃硫酸時，為了精確，用水洗滌量筒，并將洗滌液倒入燒杯中．
B．溶解后，立刻移液．
C．若加蒸餾水超過了刻度線，倒出一些溶液，再重新加蒸餾水到刻度線．
D．若定容時仰視看刻度線，會使稀硫酸溶液的濃度．
E．若搖勻后發現液面低于刻度線，又加水至刻度線．
（4）取20ml配好的硫酸，和足量的鋁反應后，可收集到標準狀況下的H₂806.4ml．

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