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A.ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現出多種化合價，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途。請回答下列問題：

（1）氧元素能形成繁多的氧化物，請寫出一個與CO₂等電子的化合物　　 ▲　　。

（2）Se原子基態核外電子的排布式為　　　　　　　▲　　； O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為　 ▲　；

（3）SO₃^2-離子中硫原子的雜化方式　 ▲ ,該離子的立體構型為　　　 ▲　　　　　；

（4）某金屬元素（以A表示）的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結構如右圖所示，則該氧化物的化學式為　　 ▲　。

（1）CS₂ 或N₂O

（2） [Ar]3d¹⁰4s²4p⁴ O＞S＞Se

（3） sp³；三角錐形

（4）AO

練習冊系列答案

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相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：閱讀理解

ⅥA族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表現出多種氧化態，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途．請回答下列問題：

（1）S單質的常見形式是S₈，其環狀結構如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是

sp³

；
（2）原子的第一電離能是指氣態電中性基態原子失去一個電子轉化為氣態基態正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為

O＞S＞Se

；
（3）Se的原子序數為

，其核外M層電子的排布式為

3s²3p⁶3d¹⁰

；
（4）H₂Se的酸性比 H₂S

強

（填“強”或“弱”）．氣態SeO₃分子的立體構型為

平面三角形

，

離子的立體構型為

三角錐形

；
（5）H₂SeO₃ 的K₁和K₂分別是2.7×10^-3和2.5×10^-8，H₂SeO₄的第一步幾乎完全電離，K₂是1.2×10^-2，請根據結構與性質的關系解釋：
①H₂SeO₃和H₂SeO₄的第一步電離程度大于第二步電離的原因：

第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子

；
②H₂SeO₄比H₂SeO₃酸性強的原因：

H₂SeO₃和H₂SeO₄可表示為（HO）SeO和（HO）SeO₂．H₂SeO₃中Se為+4價，而H₂SeO₄中Se為+6價，正電性更高．導致Se-O-H中的O原子更向Se偏移，越易電離出H⁺

．
（6）ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業中應用廣泛．立方ZnS晶體結構如圖2所示，其晶胞邊長為540.0pm，密度為

4×(65+32)g?mol-1

6.02×1023mol-1

(540.0×10-10cm)3

=4.1

4×(65+32)g?mol-1

6.02×1023mol-1

(540.0×10-10cm)3

=4.1

g?cm^-3（列式并計算），a位置S^2-離子與b位置Zn²⁺離子之間的距離為

270.0

1-cos109°28′

或

135.0×

sin

109°28′

或135

270.0

1-cos109°28′

或

135.0×

sin

109°28′

或135

pm（列式表示）

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科目：高中化學 來源：2013屆江蘇省揚州中學高三12月質量檢測化學試卷（帶解析） 題型：填空題

（12分）ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現出多種化合價，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途。請回答下列問題：
（1）氧元素能形成繁多的氧化物，請寫出一個與CO₂等電子的化合物         。
（2）把Na₂O、 SiO₂、P₂O₅三種氧化物按熔沸點由高到低順序排列         。
（3）原子的第一電離能是指氣態電中性基態原子失去一個電子轉化為氣態基態正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為      ；
（4）Se原子基態核外電子的排布式為                         ；H₂Se的沸點：－41.1℃，H₂S的沸點：-60.4℃引起兩者沸點差異的主要原因是         ；
（5）SO₃^2-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構型為                 ；
（6）某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結構如右圖所示，則該氧化物的化學式為         。