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(12分)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現出多種化合價,含ⅥA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途。請回答下列問題:

(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請寫出一個與CO2等電子的化合物         

(2)把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點由高到低順序排列         

(3)原子的第一電離能是指氣態電中性基態原子失去一個電子轉化為氣態基態正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為      

(4)Se原子基態核外電子的排布式為                         ;H2Se的沸點:-41.1℃,H2S的沸點:-60.4℃引起兩者沸點差異的主要原因是         

(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構型為                 

(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結構如右圖所示,則該氧化物的化學式為         

 

【答案】

21.(12分)

(1)CS2或N2O      (2)SiO2>Na2O>P2O5     (3) O>S>Se  

(4) [Ar]3d104s24p4   H2Se分子之間的作用力強于H2S   

(5) sp3;三角錐形   (6) AO                          (每小題2分)

【解析】

試題分析:1、CO2含有22個電子,與其等電子的化合物有CS2或N2O

2、Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物分別為離子晶體、原子晶體、分子晶體,所以其熔沸點應是SiO2>Na2O>P2O5

3、O、S、Se原子半徑逐漸增大,所以原子核對核外電子的吸引力逐漸減小,第一電離能由大到小的順序為O>S>Se 

4、Se為34號原子,原子基態核外電子的排布式為[Ar]3d104s24p4,由于H2Se分子之間的作用力強于H2S,所以才出現這種情況。

5、SO32-離子中硫原子的雜化方式sp3;該離子的立體構型為三角錐形

6圖中白色小球有4個,灰色小球也有4個,所以該氧化物的化學式為AO

考點:化合物熔沸點的比較、原子核外電子的排布,晶胞的結構分析

點評:本題所考查的知識點較多,但本題所考查的知識皆為基礎性知識,所以難度不大,關鍵點在于晶胞結構的分析,原子核外電子排布式的書寫,平時應多積累和加強這方面的訓練。

 

練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解

ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現出多種氧化態,含ⅥA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途.請回答下列問題:

(1)S單質的常見形式是S8,其環狀結構如圖1所示,S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3

(2)原子的第一電離能是指氣態電中性基態原子失去一個電子轉化為氣態基態正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為
O>S>Se
O>S>Se

(3)Se的原子序數為
34
34
,其核外M層電子的排布式為
3s23p63d10
3s23p63d10

(4)H2Se的酸性比 H2S
(填“強”或“弱”).氣態SeO3分子的立體構型為
平面三角形
平面三角形
SO
2-
3
離子的立體構型為
三角錐形
三角錐形

(5)H2SeO3 的K1和K2分別是2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4的第一步幾乎完全電離,K2是1.2×10-2,請根據結構與性質的關系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4的第一步電離程度大于第二步電離的原因:
第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子
第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子

②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:
H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價,而H2SeO4中Se為+6價,正電性更高.導致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+
H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價,而H2SeO4中Se為+6價,正電性更高.導致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+

(6)ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業中應用廣泛.立方ZnS晶體結構如圖2所示,其晶胞邊長為540.0pm,密度為
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
g?cm-3(列式并計算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
270.0
1-cos109°28′
135.0×
2
sin
109°28′
2
135
3
270.0
1-cos109°28′
135.0×
2
sin
109°28′
2
135
3
pm(列式表示)

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科目:高中化學 來源:2013屆江蘇省揚州中學高三12月質量檢測化學試卷(帶解析) 題型:填空題

(12分)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現出多種化合價,含ⅥA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途。請回答下列問題:
(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請寫出一個與CO2等電子的化合物         
(2)把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點由高到低順序排列         
(3)原子的第一電離能是指氣態電中性基態原子失去一個電子轉化為氣態基態正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為      
(4)Se原子基態核外電子的排布式為                         ;H2Se的沸點:-41.1℃,H2S的沸點:-60.4℃引起兩者沸點差異的主要原因是         
(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構型為                 
(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結構如右圖所示,則該氧化物的化學式為         

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科目:高中化學 來源:2012-2013學年四川省樂山市高三“一調”考試理綜化學試卷(解析版) 題型:填空題

ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現出多種化合價,含ⅥA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途。請回答下列問題:

(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請寫出一個與CO2等電子的化合物         

(2)把Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點由高到低順序排列         

(3)原子的第一電離能是指氣態電中性基態原子失去一個電子轉化為氣態基態正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為      

(4)Se原子基態核外電子的排布式為                          ;H2Se的沸點:-41.1℃ ,H2S的沸點:-60.4℃,引起兩者沸點差異的主要原因是         

(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式          ,該離子的立體構型為                 

(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結構如右圖所示,

則該氧化物的化學式為         

 

 

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科目:高中化學 來源: 題型:

A.ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現出多種化合價,含ⅥA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途。請回答下列問題:

(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請寫出一個與CO2等電子的化合物   ▲  

(2)Se原子基態核外電子的排布式為        ▲   ; O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為  ▲ 

(3)SO32-離子中硫原子的雜化方式  ,該離子的立體構型為    ▲     

(4)某金屬元素(以A表示)的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結構如右圖所示,則該氧化物的化學式為   ▲ 

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