Question

（1）亞銅離子（Cu⁺）基態時的價電子排布式表示為

 

．
（2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序為

 

（用元素符號表示）．
（3）Cu晶體的堆積方式是

 

（填堆積方式名稱），其配位數為

 

；往Cu的硫酸鹽溶液中加入過量氨水，可生成[Cu（NH₃）₄]SO₄，下列說法正確的是

 

A．[Cu （NH₃）₄]SO₄中所含的化學鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵
B．在[Cu（NH₃）₄]²⁺中Cu²⁺給出孤對電子，NH₃提供空軌道
C．[Cu （NH₃）₄]SO₄組成元素中第一電離能最大的是氧元素
D．SO₄^2-與PO₄^3-互為等電子體，空間構型均為正四面體
（4）氨基乙酸銅的分子結構如圖1，碳原子的雜化方式為

 

．
（5）Cu元素與H元素可形成一種紅色化合物，其晶體結構單元如圖2所示．則該化合物的化學式為

 

．

Answer 1

考點：晶胞的計算,原子核外電子排布,元素電離能、電負性的含義及應用,配合物的成鍵情況,原子軌道雜化方式及雜化類型判斷

專題：

分析：（1）根據構造原理寫出其核外電子排布式；
（2）同一周期中元素的第一電離能隨著原子序數的增大而呈增大的趨勢，但第VA族元素大于其相鄰元素；
（3）Cu晶體的堆積方式是面心立方最密堆積，配位數為12；根據的[Cu（NH₃）₄]SO₄結構判斷選項；
（4）根據碳原子的成鍵情況要以判斷碳原子的雜化方式；
（5）利用均攤法確定其化學式．

解答： 解：（1）銅是29號元素，銅原子失去一個電子變成亞銅離子，所以亞銅離子核外有28個電子，基態銅離子（Cu⁺）的價電子排布式為：3d¹⁰，故答案為：3d¹⁰；
（2）As、Se、Br屬于同一周期且原子序數逐漸增大，這三種元素依次屬于第IVA族、第VA族、第VIA族，第VA族元素大于其相鄰元素的第一電離能，所以3種元素的第一電離能從大到小順序為Br＞As＞Se，故答案為：Br＞As＞Se；
（3）Cu晶體的堆積方式是面心立方最密堆積，配位數為12；
A、N與H原子形成極性共價鍵，[Cu（NH₃）₄]²⁺與SO₄^2-形成離子鍵，Cu²⁺與NH₃形成配位鍵，故A正確；
B、氨氣分子的鍵角小于水分子的鍵角，故B錯誤；
C、金屬的第一電離能比非金屬元素的第一電離能大，故C錯誤；
D、SO₄^2-與PO₄^3-原子個數相等，價電子數相等，互為等電子體，空間構型均為正四面體，故D正確；
故答案為：面心立方最密堆積；12；AD；
（4）氨基乙酸銅的分子中一種碳有碳氧雙鍵，碳的雜化方式為sp²雜化，另一種碳周圍都是單鍵，碳的雜化方式為sp³雜化；
故答案為：sp³、sp²；
（5）該晶胞中，Cu原子在晶胞體內，故Cu原子個數=4，Cl原子在晶胞頂點和面心，故Cl原子個數=8×

1

8

+6×

1

2

=4，所以其化學式為CuCl．
故答案為：CuCl．

點評：本題考查了晶胞的計算、元素周期律、原子雜化等知識點，這些都是學習重點也是學習難點，同時考查學生的空間想象能力、分析問題能力、數學分析邏輯能力等，難度較大．