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(10 分)用氮化硅(Si3N4)陶瓷代替金屬制造發(fā)動(dòng)機(jī)的耐熱部件,能大幅度提高發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率。工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:

3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g)    △H<0

(1)在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2L,3min后達(dá)到平衡,測(cè)得固體的質(zhì)量增加了1.40g,則SiCl4的平均反應(yīng)速率為       ;該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為       

(2)上述反應(yīng)達(dá)到平衡后,下列說(shuō)法正確的是              

a.其他條件不變,溫度升高,平衡常數(shù)K減小

b.其他條件不變,壓強(qiáng)增大,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)

c.其他條件不變,增大SiCl4物質(zhì)的量,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)

d.其他條件不變,增大Si3N4物質(zhì)的量,平衡向逆反應(yīng)方向移動(dòng)

(3)一定條件下,在密閉恒容的容器中,能表示上述反應(yīng)達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是       

a.v(N2)=3v(H2)         b.v(HCl)=4v(SiCl4

c.混合氣體密度保持不變       d.c(N2):c(H2):c(HCl)=1:3:6

(4)若平衡時(shí)H2和HCl的物質(zhì)的量之比為m/n,保持其他條件不變,降低溫度后達(dá)到新德平衡時(shí),H2和HCl的物質(zhì)的量之比      m/n(填“>”“=”或“<”)

 

【答案】

(10 分)

(1)0.005mol·L-1·min-1(2分)  K=c12(HCl)/c6(H2)·c2(N2)·c3(SiCl4) (2分)

(2)ac (2分)  (3)bc  (2分) (4)< (2分)

【解析】

試題分析:

(1)3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g)

3mol                                140g

n                                  1.40g

3mol*1.40g=140g*n

解得n=0.03mol

△c(SiCl4)= =0.03mol/2L=0.015mol/L。

V(SiCl4)= △c(SiCl4)/t=0.015(mol/L)/3min=0.005mol·L-1·min-1

化學(xué)平衡常熟等于反應(yīng)物的濃度冪之積除以生成物的濃度冪之積的值,即

K= c12(HCl)/c6(H2)·c2(N2)·c3(SiCl4)。

(2)b.增大壓強(qiáng),平衡向體積減少的方向移動(dòng),即平衡逆向移動(dòng),故錯(cuò);

d. Si3N4是固體,改變其的量,平衡不移動(dòng),故錯(cuò);

故選ac。

(3)a.應(yīng)為3v(N2)=v(H2),故錯(cuò);d.濃度的比值不能判定是否平衡狀態(tài),故錯(cuò)。故選bc。

(4)降低溫度,平衡向放熱方向移動(dòng),即正向移動(dòng),故H2和HCl的物質(zhì)的量之比< m/n。

考點(diǎn):反應(yīng)速率的計(jì)算 化學(xué)平衡狀態(tài) 化學(xué)平衡的移動(dòng)

點(diǎn)評(píng):本題考查較為綜合,涉及反應(yīng)速率、平衡常數(shù)、平衡移動(dòng)以及電化學(xué)等知識(shí),題目難度不大,注意把握影響平衡移動(dòng)的因素以及平衡移動(dòng)方向的判斷。

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(10分)(1)用地殼中某主要元素生產(chǎn)的多種產(chǎn)品在現(xiàn)代高科技中占重要位置,足見(jiàn)化學(xué)對(duì)現(xiàn)代物質(zhì)文明的重要作用。例如:

①光導(dǎo)纖維的主要成分是            

②目前應(yīng)用最多的太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化材料是     

(2)氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制取。粉末狀Si3N4對(duì)空氣和水都不穩(wěn)定。但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中熱處理,可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對(duì)空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料,同時(shí)還得到對(duì)水不穩(wěn)定的Mg3N2

①寫出由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)反應(yīng)方程式:                       

②在Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中熱處理的過(guò)程中,發(fā)生反應(yīng),反應(yīng)過(guò)程中有Mg3N2生成。其化學(xué)方程式為:                        

③氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,其優(yōu)點(diǎn)是(只要求寫出二種)。

                                                              

 

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①光導(dǎo)纖維的主要成分是            
②目前應(yīng)用最多的太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化材料是     
(2)氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制取。粉末狀Si3N4對(duì)空氣和水都不穩(wěn)定。但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中熱處理,可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對(duì)空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料,同時(shí)還得到對(duì)水不穩(wěn)定的Mg3N2
①寫出由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)反應(yīng)方程式:                      
②在Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中熱處理的過(guò)程中,發(fā)生反應(yīng),反應(yīng)過(guò)程中有Mg3N2生成。其化學(xué)方程式為:                        
③氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,其優(yōu)點(diǎn)是(只要求寫出二種)。
                                                              

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(2)上述反應(yīng)達(dá)到平衡后,下列說(shuō)法正確的是              
a.其他條件不變,溫度升高,平衡常數(shù)K減小
b.其他條件不變,壓強(qiáng)增大,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)
c.其他條件不變,增大SiCl4物質(zhì)的量,平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng)
d.其他條件不變,增大Si3N4物質(zhì)的量,平衡向逆反應(yīng)方向移動(dòng)
(3)一定條件下,在密閉恒容的容器中,能表示上述反應(yīng)達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是       
a.v(N2)=3v(H2)         b.v(HCl)=4v(SiCl4
c.混合氣體密度保持不變       d.c(N2):c(H2):c(HCl)=1:3:6
(4)若平衡時(shí)H2和HCl的物質(zhì)的量之比為m/n,保持其他條件不變,降低溫度后達(dá)到新德平衡時(shí),H2和HCl的物質(zhì)的量之比      m/n(填“>”“=”或“<”)

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①光導(dǎo)纖維的主要成分是            

②目前應(yīng)用最多的太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化材料是     

(2)氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制取。粉末狀Si3N4對(duì)空氣和水都不穩(wěn)定。但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中熱處理,可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對(duì)空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料,同時(shí)還得到對(duì)水不穩(wěn)定的Mg3N2

①寫出由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)反應(yīng)方程式:                       

②在Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中熱處理的過(guò)程中,發(fā)生反應(yīng),反應(yīng)過(guò)程中有Mg3N2生成。其化學(xué)方程式為:                        

③氮化硅Si3N4是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,其優(yōu)點(diǎn)是(只要求寫出二種)。

                                                               

 

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