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含A元素的一種單質是一種重要的半導體材料,含A元素的一種化合物C可用于制造高性能的現代通訊材料——光導纖維,C與燒堿反應生成含A元素的化合物D.

(1)在元素周期表中,A位于________族,與A同族但相對原子質量比A小的元素B的原子結構示意圖為________,A與B在原子的電子層結構上的相同點是________.

(2)易與C發生化學反應的酸是________,反應的化學方程式是________.

(3)將C與純堿混合高溫熔融時也發生化學反應生成D,同時還生成B的最高價氧化物E;將全部的E與全部的D在足量的水中混合后,又發生化學反應生成含A的化合物F.

①分別寫出生成D和F的化學反應方程式:________.

②要將純堿高溫熔化,下列坩堝中不可選用的是________.

A.普通玻璃坩堝

B.石英玻璃坩堝

C.氧化鋁坩堝

D.鐵坩堝

(4)100 g C與石灰石的混合物充分反應后,生成的氣體在標準狀況下的體積為11.2 L,100 g混合物中石灰石的質量分數是________.

答案:
解析:

  (1)ⅣA  最外層均有4個電子

  (2)氫氟酸 SiO2+4HFSiF4↑+2H2O

  (3)①SiO2+Na2CO3Na2SiO3+CO2↑,

  Na2SiO3+CO2+H2ONa2CO3+H2SiO3

  ②ABC

  (4)50%


練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:

化合物X由元素A、B組成,可用于制造高性能的現代通訊材料-光導纖維;化合物Y由不同短周期元素C、D組成,是良好的耐熱、耐沖擊材料.
(1)已知A的一種單質是一種重要的半導體材料,則A在元素周期表中的位置是
第3周期、ⅣA
第3周期、ⅣA
.A可由X與焦炭在高溫下反應制得,其反應的化學方程式為
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑

(2)X與純堿高溫熔融時能生成Z,同時還生成一種氣體M;將一定量氣體M通入z的水溶液中生成白色沉淀和純堿溶液.X與純堿高溫熔融能發生反應的原因是
難揮發性酸酐制取揮發性酸酐
難揮發性酸酐制取揮發性酸酐
;M與Z的水溶液能發生反應的原因是
強酸制弱酸
強酸制弱酸
.要將純堿高溫熔化,下列坩堝中不可選用的是
ABC
ABC

A.普通玻璃坩堝               B.石英玻璃坩堝
C.氧化鋁坩堝                 D.鐵坩堝
(3)C的單質既可與鹽酸、又可與NaOH溶液反應.一定條件下,Y和水作用生成含D的化合物W,W是一種含有10個電子的堿性氣體.則Y的化學式是
AlN
AlN

(4)C的單質、石墨和二氧化鈦(TiO2)按一定比例在高溫下反應得到兩種化合物,兩種化合物均是由兩種元素組成的新型陶瓷材料,則反應的化學方程式是(不必配平)
4Al+3TiO2+3C
 高溫 
.
 
2Al2O3+3TiC
4Al+3TiO2+3C
 高溫 
.
 
2Al2O3+3TiC

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科目:高中化學 來源:2013屆河北省五校聯盟高三上學期調研考試理科綜合化學試卷(帶解析) 題型:填空題

【化學—選修5:物質結構與性質】(15分)
現有A、B、C、D、E原子序數依次增大的五種元素,它們位于元素周期表的前四周期。A元素原子的價層電子總數是內層電子總數的2倍;C元素原子的L電子層中只有兩對成對電子;D元素與E元素在同周期相鄰的族,它們的原子序數相差3,且D元素的基態原子有4個未成對電子。請回答下列問題:
⑴A、B、C三種元素的名稱分別為        、        、        。
⑵用元素符號表示A、B、C三種元素的第一電離能由低到高的排序為               
⑶E元素基態原子的核外電子排布式為                          。
⑷A元素與氫元素能形成種類繁多的化合物,其中只含sp3雜化且相對分子質量最小的分子的VSEPR空間構型為         ;其中只含sp2雜化且相對分子質量最小的化合物的結構式為           ;其中同時含sp雜化、SP2雜化、sp3雜化且相對分子質量最小的化合物的化學式為          。
⑸A元素的一種單質的晶體結構如圖甲所示,D元素的一種單質的晶體結構如圖乙所示。
        
圖甲中A原子的配位數與圖乙中D原子的配位數之比為         。

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科目:高中化學 來源:2012年蘇教版高中化學選修1 3.2功能各異的無機非金屬材料練習卷(解析版) 題型:填空題

A元素的一種單質是一種重要的半導體材料,含A元素的一種化合物B可用于制造高性能的現代通訊材料——光導纖維,B與燒堿反應生成含A元素的化合物D。

(1)易與B發生化學反應的酸是________,(填化學名稱)該化學反應的重要應用是__________________。

(2)將B與純堿混合,高溫熔融時也發生化學反應生成D,同時還生成氧化物C;

①寫出生成D和C的化學反應方程式:

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________。

②要將純堿高溫熔化,下列坩堝中不可選用的是________。

A.普通玻璃坩堝    B.石英玻璃坩堝

C.氧化鋁坩堝     D.鐵坩堝

③將過量的C通入D的溶液中發生反應的化學方程式是:

________________________________________________________________________。

(3)B與石灰石、B與純堿發生相似的化學反應。100 g B與石灰石的混合物充分反應后,生成的氣體在標準狀況下的體積為11.2 L,100 g混合物中石灰石的質量分數是________。

(4)A的單質與燒堿溶液和鋁的單質與燒堿溶液發生相似的化學反應。相同物質的量的A的單質與鋁的單質分別跟足量的燒堿溶液反應,生成的氣體在同溫同壓下的體積之比為    。

 

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科目:高中化學 來源:2013屆河北省五校聯盟高三上學期調研考試理科綜合化學試卷(解析版) 題型:填空題

【化學—選修5:物質結構與性質】(15分)

現有A、B、C、D、E原子序數依次增大的五種元素,它們位于元素周期表的前四周期。A元素原子的價層電子總數是內層電子總數的2倍;C元素原子的L電子層中只有兩對成對電子;D元素與E元素在同周期相鄰的族,它們的原子序數相差3,且D元素的基態原子有4個未成對電子。請回答下列問題:

⑴A、B、C三種元素的名稱分別為                  、         。

⑵用元素符號表示A、B、C三種元素的第一電離能由低到高的排序為                。

⑶E元素基態原子的核外電子排布式為                          

⑷A元素與氫元素能形成種類繁多的化合物,其中只含sp3雜化且相對分子質量最小的分子的VSEPR空間構型為          ;其中只含sp2雜化且相對分子質量最小的化合物的結構式為            ;其中同時含sp雜化、SP2雜化、sp3雜化且相對分子質量最小的化合物的化學式為           。

⑸A元素的一種單質的晶體結構如圖甲所示,D元素的一種單質的晶體結構如圖乙所示。

         

圖甲中A原子的配位數與圖乙中D原子的配位數之比為         

 

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