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根據相關化學原理,下列判斷正確的是(  )
A、若X是單質,Y是化合物,則X與Y發生的反應一定置換反應
B、若A2十2D-=2A-十D2,則氧化性:D2>A2
C、若R2-和M+的電子層結構相同,則原子序數:R>M
D、若弱酸HA的酸性強于弱酸HB,則同濃度鈉鹽溶液的堿性:NaA<NaB
考點:化學基本反應類型,原子結構與元素的性質,氧化性、還原性強弱的比較
專題:基本概念與基本理論
分析:A.若X是單質,Y是化合物,則X與Y發生的反應不一定是置換反應;
B.氧化性:氧化劑>氧化產物;
C.陽離子:原子序數=電子數+電荷數;陰離子:原子序數=電子數-電荷數;
D.弱酸的酸性越強,同濃度的鈉鹽溶液的堿性越弱.
解答: 解:A.若X是單質,Y是化合物,則X與Y發生的反應不一定是置換反應,如鐵與氯化鐵反應生成氯化亞鐵,故A錯誤;
B.若A2十2D-=2A-十D2,A2為氧化劑,D2為氧化產物,則氧化性:A2>D2,故B錯誤;
C.若R2-和M+的電子層結構相同,則原子序數:M>R,故C錯誤;
D.若弱酸HA的酸性強于弱酸HB,則同濃度鈉鹽溶液的堿性:NaA<NaB,故D正確,
故選D.
點評:本題考查置換反應的概念、氧化性強弱的判斷、電子數與質子數的關系等,難度不大.要注意基礎知識的積累.
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:

下列說法正確的是(  )
A、強極性鍵形成的化合物不一定是強電解質
B、強電解質溶液導電能力一定比弱電解質溶液強
C、NaCl溶液在電流的作用下電離成鈉離子和氯離子
D、SO2的水溶液可以導電,所以SO2是電解質

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科目:高中化學 來源: 題型:

下列描述中能說明反應CH3COOH+C2H5OH?CH3COOC2H5+H2O已達到化學平衡狀態的是(  )
①單位時間里,生成1mol乙酸乙酯,同時生成1mol水
②單位時間里,生成1mol乙酸乙酯,同時生成1mol乙酸
③單位時間里,消耗1mol乙醇,同時消耗1mol乙酸
④正反應的速率與逆反應的速率相等
⑤混合物中各物質的濃度不再變化.
A、②⑤B、②④⑤
C、①③⑤D、②③④

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科目:高中化學 來源: 題型:

用分液漏斗可以分離的一組液體混合物是(  )
A、乙醇和水B、碘水
C、乙酸乙酯和水D、乙酸和水

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科目:高中化學 來源: 題型:

下列化學事實主要體現濃硫酸強氧化性的是(  )
A、用濃硫酸干燥某些氣體
B、用濃硫酸在木板上寫字、繪畫
C、用鐵質容器來儲存濃硫酸
D、用濃硫酸與Na2SO3反應制取SO2

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科目:高中化學 來源: 題型:

下列關于食品添加劑的說法不正確的是(  )
A、食品添加劑在合理限量范圍內使用不影響人體健康
B、食品添加劑必須用天然物質制造
C、檸檬黃常用來做著色劑,改善食品色澤
D、醋可用作防腐劑和調味品

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科目:高中化學 來源: 題型:

下列離子方程式不正確的是(  )
A、NaHSO4溶液中滴入Ba(OH)2溶液至中性:2H++SO42-+Ba2++2OH-=BaSO4↓+2H2O
B、向Al2(SO43溶液中加入過量氨水:Al3++3NH3?H2O═Al(OH)3↓+3NH4+
C、Ca(HCO32溶液中加入過量KOH溶液:Ca2++HCO3-+OH-═CaCO3↓+H2O
D、1mol FeBr2溶液中緩緩通入1mol Cl2:2Fe2++2Br-+2Cl2═2Fe3++Br2+4Cl-

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科目:高中化學 來源: 題型:

根據元素周期表和元素周期律分析,下列推斷中正確的是(  )
A、Mg原子失電子能力比Na強
B、I的氫化物非常穩定
C、H3PO4的酸性比H2SO4
D、Ba(OH)2比Ca(OH)2的堿性強

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科目:高中化學 來源: 題型:

單質硅是信息產業中重要的基礎材料.通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度為450~500℃),四氯化硅經提純后用氫氣還原可得高純硅.以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖(ABCD)和氫氣還原SiCl4的實驗裝置圖,加熱部分裝置省略(EFGH):

相關信息:①四氯化硅遇水極易水解
②硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物
③有關物質的物理常數見下表:
物質SiCl4BCl3AlCl3FeCl3PCl5
沸點/℃57.712.8-315-
熔點/℃-70.0-107.2---
升華溫度/℃--180300162
(1)寫出工業制備粗硅的方程式
 

(2)A中所發生的反應的離子方程式
 

(3)B和C中分別裝的試劑名稱為
 
 和
 

(4)提純該反應中所得的四氯化硅的方法是
 
,制備四氯化硅的實驗裝置圖有一個明顯缺陷,請提出改進措施
 

(5)氫氣還原四氯化硅的裝置圖中,G裝置需要水浴加熱,目的是
 

(6)氫氣還原四氯化硅的裝置圖中,為保證實驗安全,H裝置加熱之前必須進行的實驗操作是
 

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