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【題目】下列有關物質說法正確的是

A. 加熱NH4Cl只破壞離子鍵

B. N2H4中極性鍵與非極性鍵的比值是1︰4

C. PCl3和BCl3分子中所有原子的最外層都達到8電子穩定結構

D. 某元素最高價氧化物的水化物和氫化物的化學式分別為H2XO4 、H2X

【答案】D

【解析】A．加熱氯化銨時，氯化銨分解生成氨氣和氯化氫，破壞離子鍵和共價鍵，故A錯誤；B．N2H4中極性鍵為N—H鍵，共4個，非極性鍵為N-N鍵，則極性鍵與非極性鍵的比值是4︰1，故B錯誤；C．PCl3分子中所有原子的最外層都達到8電子穩定結構；BCl3分子中B原子的最外層電子數為6，Cl原子的最外層電子數為8，故C錯誤；D．主族元素其最高化合價與其族序數相等，其最低化合價=族序數-8，所以某元素最高價氧化物的水化物和氫化物的化學式分別為H2XO4、H2X，故D正確；故選D。

練習冊系列答案

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】下列有關敘述：能說明元素M比N的非金屬性強的是（）

①非金屬單質M能從N的化合物中置換出非金屬單質N。

②M原子比N原子更容易得到電子。

③單質M跟H2反應比N跟H2反應容易得多。

④氣態氫化物水溶液的酸性HmM＞HnN。

⑤最高價氧化物對應水化物的酸性HmMOx＞HnNOy。

A. ①②③⑤ B. ②⑤ C. ①②③④⑤ D. 全部

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO2粉塵等）。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na2SiO3等混合溶液在75～90℃反應25～35 min，效果良好。

回答下列問題

（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學方程式加以解釋；

（2）寫出晶片制絨反應的離子方程式，對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型，他指出Si與NaOH溶液的反應，首先是Si與OH一反應，生成SiO44一，然后SiO44一迅速水解生成H4SiO4。基于此原理分析反應中氧化劑為。

（3）本�；瘜W興趣小組同學，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：

	實驗事實
事實一	水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。
事實二	盛放于鉑或石英器皿中的純水長時間對粉末狀還原硅無腐蝕作用。
事實三	普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。
事實四	在野外環境里，用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH，點著后燜燒，可劇烈放出H2。
事實五	1g（0.036mo1）Si和20mL含有lgNaOH（0.025mol）的溶液，小心加熱（稍微預熱），收集到約1700mL H2，很接近理論值（1600mL）。