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[命題立意]考查有機物結構與性質的關系及反應類型.結構簡式的書寫.同分 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

[化學-選修3:物質結構與性質]
砷(As)在地殼中含量不大,但砷的化合物卻是豐富多彩.
(1)砷的基態原子的電子排布式為
 

(2)目前市售的發光二極管,其材質以砷化鎵(GaAs)為主.Ga和As相比,電負性較大的 是
 
,GaAs中Ga的化合價為
 

(3)AsH3是無色稍有大蒜氣味的氣體,在AsH3中As原子的雜化軌道類型為
 
;AsH3的沸點高于PH3,其主要原因為
 

(4)Na3As04可作殺蟲劑.As043-的立體構型為
 
與其互為等電子體的分子的化學式為
 
(任寫一種).
(5)H3As04和H3As03是砷的兩種含氧酸,請根據結構與性質的關系,解釋H3AsO4比 H3AsO3 酸性強的原因
 
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(6)磷與砷同主族,磷的一種單質白磷(P4)屬于分子晶體,其晶胞如圖.已知最近的兩個白磷分子間距離為 a pm,阿伏加德羅常數的值為NA,則該晶體的密度為
 
g/cm3(只要求列算式,不必計算)

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請回答下列問題:

(1)S單質的常見形式為S8,其環狀結構如圖1所示,S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3

(2)原子的第一電離能是指氣態電中性基態原子失去一個電子轉化為氣態基態正離子所需要的最低能量.Mg與Al原子的第一電離能大到小的順序為
Al>Mg
Al>Mg
;O與F電負性大到小的順序為
F>O
F>O
.(用<或=或>表示)
(3)34號元素的價層電子的電子排布圖為
1s22s22p63s23p63d104s24p4
1s22s22p63s23p63d104s24p4
,在周期表位于
第四周期第ⅥA族
第四周期第ⅥA族
區;Mn2+基態的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d5
1s22s22p63s23p63d5

(4)氣態SO2分子的立體構型為
V形
V形
;SO32-離子的立體構型為
三角錐型
三角錐型
(均用文字描述)
(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請根據結構與性質的關系解釋;
①H2SeO4和H2SeO3第一步電離程度大于第二部電離的原因:
酸第一步電離產生的酸根陰離子帶有負電荷,吸引H+,同時產生的H+抑制第二步電離
酸第一步電離產生的酸根陰離子帶有負電荷,吸引H+,同時產生的H+抑制第二步電離

②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:
H2SeO4和H2SeO3可以分別表示為(HO)2SeO2、(HO)2SeO,H2SeO3中Se為+4價,而H2SeO4中Se為+6價,后者Se原子吸電子能力強,導致羥基上氫原子更容易電離H+
H2SeO4和H2SeO3可以分別表示為(HO)2SeO2、(HO)2SeO,H2SeO3中Se為+4價,而H2SeO4中Se為+6價,后者Se原子吸電子能力強,導致羥基上氫原子更容易電離H+

(6)向CuSO4溶液中加入過量NaOH溶液可生成[Cu(OH)4]2-.不考慮空間構型,[Cu(OH)4]2-的結構可用示意圖表示為

(7)Cu元素的一種氯化物晶體的晶胞結構如圖2所示,該氯化物的化學式是
CuCl
CuCl

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VA族的氮、磷、砷(As)等元素在化合物中常表現出多種氧化態,含VA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途.請回答下列問題:
(1)白磷單質的中P原子采用的軌道雜化方式是
 

(2)原子的第一電離能是指氣態電中性基態原子失去一個電子轉化為氣態基態正離子所需要的最低能量,N、P、As原子的第一電離能由大到小的順序為
 

(3)As原子序數為
 
,其核外M、N層電子的排布式為
 

(4)NH3的沸點比PH3
 
(填“高”或“低”),原因是
 
.PO43-離子的立體構型為
 

(5)H3PO4的K1、K2、K3分別為7.6×10-3、6.3×10-8、4.4×10-13.請根據結構與性質的關系解釋,H3PO4的K1遠大于K2的原因
 

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MgCO3和CaCO3都為離子晶體,熱分解的溫度分別為402℃和900℃,請根據結構與性質的關系說明它們熱分解溫度不同的原因
 

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ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現出多種氧化態,含ⅥA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途.請回答下列問題:

(1)S單質的常見形式是S8,其環狀結構如圖1所示,S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3

(2)原子的第一電離能是指氣態電中性基態原子失去一個電子轉化為氣態基態正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為
O>S>Se
O>S>Se

(3)Se的原子序數為
34
34
,其核外M層電子的排布式為
3s23p63d10
3s23p63d10

(4)H2Se的酸性比 H2S
(填“強”或“弱”).氣態SeO3分子的立體構型為
平面三角形
平面三角形
SO
2-
3
離子的立體構型為
三角錐形
三角錐形

(5)H2SeO3 的K1和K2分別是2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4的第一步幾乎完全電離,K2是1.2×10-2,請根據結構與性質的關系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4的第一步電離程度大于第二步電離的原因:
第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子
第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子

②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:
H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價,而H2SeO4中Se為+6價,正電性更高.導致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+
H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價,而H2SeO4中Se為+6價,正電性更高.導致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+

(6)ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業中應用廣泛.立方ZnS晶體結構如圖2所示,其晶胞邊長為540.0pm,密度為
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
g?cm-3(列式并計算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
270.0
1-cos109°28′
135.0×
2
sin
109°28′
2
135
3
270.0
1-cos109°28′
135.0×
2
sin
109°28′
2
135
3
pm(列式表示)

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