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若微粒能垂直射到擋板上的某點(diǎn)P.P點(diǎn)在直線(xiàn)OO´上方時(shí).由圖象可知.擋板MN與O點(diǎn)間的距離應(yīng)滿(mǎn)足 L= m 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖甲所示,豎直擋板MN左側(cè)空間有方向豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)和垂直紙面向里的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng),電場(chǎng)和磁場(chǎng)的范圍足夠大,電場(chǎng)強(qiáng)度E=40N/C,磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化的關(guān)系圖象如圖乙所示,選定磁場(chǎng)垂直紙面向里為正方向。t=0時(shí)刻,一質(zhì)量m=8×10-4kg、電荷量q=+2×10-4C的微粒在O點(diǎn)具有豎直向下的速度v=0.12m/s,O??是擋板MN上一點(diǎn),直線(xiàn)OO??與擋板MN垂直,取g=10m/s2。求:

(1)微粒再次經(jīng)過(guò)直線(xiàn)OO??時(shí)與O點(diǎn)的距離;

(2)微粒在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中離開(kāi)直線(xiàn)OO??的最大高度;

(3)水平移動(dòng)擋板,使微粒能垂直射到擋板上,擋板與O點(diǎn)間的距離應(yīng)滿(mǎn)足的條件。

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(19分)如圖甲所示,豎直擋板MN左側(cè)空間有方向豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)和垂直紙面向里的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng),電場(chǎng)和磁場(chǎng)的范圍足夠大,電場(chǎng)強(qiáng)度E=40N/C,磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化的關(guān)系圖象如圖乙所示,選定磁場(chǎng)垂直紙面向里為正方向。t=0時(shí)刻,一質(zhì)量m=8×10-4kg、電荷量q=+2×10-4C的微粒在O點(diǎn)具有豎直向下的速度v=0.12m/s,O´是擋板MN上一點(diǎn),直線(xiàn)OO´與擋板MN垂直,取g=10m/s2。求:

(1)微粒再次經(jīng)過(guò)直線(xiàn)OO´時(shí)與O點(diǎn)的距離;

(2)微粒在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中離開(kāi)直線(xiàn)OO´的最大高度;

(3)水平移動(dòng)擋板,使微粒能垂直射到擋板上,擋板與O點(diǎn)間的距離應(yīng)滿(mǎn)足的條件。

 

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(19分)如圖甲所示,豎直擋板MN左側(cè)空間有方向豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)和垂直紙面向里的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng),電場(chǎng)和磁場(chǎng)的范圍足夠大,電場(chǎng)強(qiáng)度E=40N/C,磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化的關(guān)系圖象如圖乙所示,選定磁場(chǎng)垂直紙面向里為正方向。t=0時(shí)刻,一質(zhì)量m=8×10-4kg、電荷量q=+2×10-4C的微粒在O點(diǎn)具有豎直向下的速度v=0.12m/s,O´是擋板MN上一點(diǎn),直線(xiàn)OO´與擋板MN垂直,取g=10m/s2。求:

(1)微粒再次經(jīng)過(guò)直線(xiàn)OO´時(shí)與O點(diǎn)的距離;

(2)微粒在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中離開(kāi)直線(xiàn)OO´的最大高度;

(3)水平移動(dòng)擋板,使微粒能垂直射到擋板上,擋板與O點(diǎn)間的距離應(yīng)滿(mǎn)足的條件。

 

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(09年鹽城中學(xué)綜合考試)(15分)如圖甲所示,豎直擋板MN左側(cè)空間有方向豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)和垂直紙面向里的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng),電場(chǎng)和磁場(chǎng)的范圍足夠大,電場(chǎng)強(qiáng)度E=40N/C,磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化的關(guān)系圖象如圖乙所示,選定磁場(chǎng)垂直紙面向里為正方向.t=0時(shí)刻,一質(zhì)量m=8×10-4kg、電荷量q=+2×10-4C的微粒在O點(diǎn)具有豎直向下的速度v=0.12m/s,O´是擋板MN上一點(diǎn),直線(xiàn)OO´與擋板MN垂直,取g=10m/s2.求:

(1)微粒再次經(jīng)過(guò)直線(xiàn)OO´時(shí)與O點(diǎn)的距離;

(2)微粒在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中離開(kāi)直線(xiàn)OO´的最大高度;

(3)水平移動(dòng)擋板,使微粒能垂直射到擋板上,擋板與O點(diǎn)間的距離應(yīng)滿(mǎn)足的條件.

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(18分)如圖甲所示,豎直擋板MN的左側(cè)空間有方向豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)和垂直紙面的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng),電場(chǎng)和磁場(chǎng)的范圍足夠大,電場(chǎng)強(qiáng)度的大小,磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間變化的關(guān)系圖象如圖乙所示,選定磁場(chǎng)垂直紙面向里為正方向,在時(shí)刻,一質(zhì)量,帶電荷量的微粒在O點(diǎn)具有豎直向下的速度是擋板MN上一點(diǎn),直線(xiàn)與擋板MN垂直,取。求:

⑴微粒下一次經(jīng)過(guò)直線(xiàn)時(shí)到O點(diǎn)的距離。

⑵微粒在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中離開(kāi)直線(xiàn)的最大距離。

⑶水平移動(dòng)擋板,使微粒能垂直射到擋板上,擋板與O點(diǎn)間距離應(yīng)滿(mǎn)足的條件。

 

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