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在右圖所示的LC振蕩電路中,通過(guò)P點(diǎn)的電流隨時(shí)間變化的圖線如圖(b)所示,若把通過(guò)P點(diǎn)向右的電流規(guī)定為i軸的正方向,則(     )

A、0至0.5ms內(nèi),電容器C正在充電

B、0.5ms至1ms內(nèi),電容器上極板帶正電荷

C、1ms至1.5ms內(nèi),Q點(diǎn)比P點(diǎn)電勢(shì)高

D、1.5ms至2ms內(nèi)磁場(chǎng)能在減少，磁感應(yīng)強(qiáng)度增大

在右圖所示的LC振蕩電路中,通過(guò)P點(diǎn)的電流隨時(shí)間變化的圖線如圖(b)所示,若把通過(guò)P點(diǎn)向右的電流規(guī)定為i軸的正方向,則(       )

A、0至0.5ms內(nèi),電容器C正在充電

B、0.5ms至1ms內(nèi),電容器上極板帶正電荷

C、1ms至1.5ms內(nèi),Q點(diǎn)比P點(diǎn)電勢(shì)高

D、1.5ms至2ms內(nèi)磁場(chǎng)能在減少，磁感應(yīng)強(qiáng)度增大

在右圖所示的LC振蕩電路中,通過(guò)P點(diǎn)的電流隨時(shí)間變化的圖線如圖(b)所示,若把通過(guò)P點(diǎn)向右的電流規(guī)定為i軸的正方向,則(     )

A、0至0.5ms內(nèi),電容器C正在充電

B、0.5ms至1ms內(nèi),電容器上極板帶正電荷

C、1ms至1.5ms內(nèi),Q點(diǎn)比P點(diǎn)電勢(shì)高

D、1.5ms至2ms內(nèi)磁場(chǎng)能在減少，磁感應(yīng)強(qiáng)度增大

在如圖所示的LC振蕩電路中,通過(guò)P點(diǎn)的電流隨時(shí)間變化的圖線如圖(b)所示,若把通過(guò)P點(diǎn)向右的電流規(guī)定為i軸的正方向,則

A．0至0.5ms內(nèi),電容器C正在充電

B．0.5ms至1ms內(nèi),電容器上極板帶正電荷

C．1ms至1.5ms內(nèi),Q點(diǎn)比P點(diǎn)電勢(shì)高

D．1.5ms至2ms內(nèi)磁場(chǎng)能在減少