(1)若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與a連接，則B極的電極反應(yīng)式為_(kāi)__________________
(2)若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與b連接，則總反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)____________________有關(guān)上述實(shí)驗(yàn)，下列說(shuō)法正確的是_________（填序號(hào)）。
①溶液中Na⁺向A極移動(dòng)
②從A極逸出的氣體能使?jié)駶?rùn)的KI-淀粉試紙變藍(lán)
③反應(yīng)一段時(shí)間后加適量鹽酸可恢復(fù)到電解前電解質(zhì)的濃度
④若標(biāo)準(zhǔn)狀況下B極產(chǎn)生2.24 L氣體，則溶液中轉(zhuǎn)移0.2 mol電子
(3)該小組同學(xué)模仿工業(yè)上用離子交換膜法制燒堿的原理，設(shè)想用如圖Ⅱ裝置電解硫酸鉀溶液來(lái)制取氫氣、氧氣、硫酸和氫氧化鉀。
①該電解槽工作時(shí)，通過(guò)陰離子交換膜的離子數(shù)_______（填“大于”、“小于”或“等于”）通過(guò)陽(yáng)離子交換膜的離子數(shù)。
②通電開(kāi)始后，陰極附近溶液pH會(huì)增大，請(qǐng)簡(jiǎn)述原因：___________________________。
(4)多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注。
①SiCl₄可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為_(kāi)_______________________。
②SiCl₄可轉(zhuǎn)化為SiHCl₃而循環(huán)使用。一定條件下，在20 L恒容密閉容器中的反應(yīng)：
3SiCl₄(g)+2H₂(g)+Si(s)4SiHCl₃(g)，達(dá)到平衡后，H₂與SiHCl₃的物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020 mol/L，若H₂全部來(lái)源于圖Ⅱ離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗硫酸鉀質(zhì)量為_(kāi)_____kg。

（1）若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與a連接，則B極的電極反應(yīng)式為_(kāi)____________。
（2）若開(kāi)始時(shí)開(kāi)關(guān)K與b連接，則總反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)_______________________；有關(guān)上述實(shí)驗(yàn)，下列說(shuō)法正確的是（填序號(hào)）___________。
①溶液中Na⁺向A極移動(dòng)
②從A極處逸出的氣體能使?jié)駶?rùn)KI淀粉試紙變藍(lán)
③反應(yīng)一段時(shí)間后加適量鹽酸可恢復(fù)到電解前電解質(zhì)的濃度
④若標(biāo)準(zhǔn)狀況下B極產(chǎn)生2.24 L氣體，則溶液中轉(zhuǎn)移0.2 mol電子
（3）該小組同學(xué)模仿工業(yè)上用離子交換膜法制燒堿的方法，設(shè)想用如圖Ⅱ裝置電解硫酸鉀溶液來(lái)制取氫氣、氧氣、硫酸和氫氧化鉀。
①該電解槽工作時(shí)，通過(guò)陰離子交換膜的離子數(shù)_______（填“大于” “小于”或“等于”）通過(guò)陽(yáng)離子交換膜的離子數(shù)。
②通電開(kāi)始后，陰極附近溶液pH會(huì)增大，請(qǐng)簡(jiǎn)述原因_____________。
（4）多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用收到廣泛關(guān)注。
①SiCl₄可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為_(kāi)___________________。
②SiCl₄可轉(zhuǎn)化為SiHCl₃而循環(huán)使用。一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：
3SiCl₄（g）+2H₂（g）+Si（s）4SiHCl₃（g）達(dá)平衡后，H₂與SiHCl₃物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H₂全部來(lái)源于圖Ⅱ離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗硫酸鉀質(zhì)量為_(kāi)_______kg。