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均勻導線制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質量為m.將其置于磁感應強度為B的水平勻強磁場上方h處，如圖12-3-22所示.線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內，且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行.當cd邊剛進入磁場時，

圖12-3-22

(1)求線框中產生的感應電動勢大小；

(2)求cd兩點間的電勢差大小；

(3)若此時線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應滿足的條件.

均勻導線制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質量為m。將其置于磁感強度為B的水平勻強磁場上方h處，如圖所示。線框由靜止自由下落，線框平面保持在堅直平面內，且cd邊始終與水平的磁場邊界平行。當cd邊剛進入磁場時，求：dysz

（1）cd兩點哪點電勢高，求線框中產生的感應電動勢大小；
（2）cd兩點間的電勢差大小；
（3）若此時線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應滿足的條件。

均勻導線制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質量為m.將其置于磁感強度為B的水平勻強磁場上方h處，如圖20所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內，且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行．當cd邊剛進入磁場時：
(1)求線框中產生的感應電動勢大小．
(2)求cd兩點間的電勢差大小．
(3)若此時線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應滿足的條件．

均勻導線制成的單匝正方形閉合線框abcd,每邊長為L,總電阻為R,總質量為m.將其置于磁感強度為B的水平勻強磁場上方h處,如圖所示.線框由靜止自由下落,線框平面保持在豎直平面內,且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行.當cd邊剛進入磁場時,

(1)求線框中產生的感應電動勢大小;
(2)求cd兩點間的電勢差大小;
(3)若此時線框加速度恰好為零,求線框下落的高度h所應滿足的條件.

均勻導線制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質量為m.將其置于磁感強度為B的水平勻強磁場上方h處，如圖12所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內，且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行．當cd邊剛進入磁場時：

(1)求線框中產生的感應電動勢大小．
(2)求cd兩點間的電勢差大小．
(3)若此時線框加速度恰好為零，求線框下落的高度h所應滿足的條件．