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25. G和Si元素在化學中占有極其重要的地位. (1)寫出Si的基態原子核外電子排布式 . 從電負性角度分析.C.Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為 . (2)SiC的晶體結構與晶體硅的相似.其中C原子的雜化方式為 .微粒間存在的作用力是 . (3)氧化物MO的電子總數與SiC的相等.則M為 .MO是優良的耐高溫材料.其晶體結構與NaCl晶體相似.MO的熔點比CaO的高.其原因是 . (4)C.Si為同一主族的元素.CO2和SiO2化學式相似.但結構和性質有很大不同.CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵.SiO:中Si與O原子間不形成上述π健.從原子半徑大小的角度分析.為何C.O原子間能形成.而Si.O原子間不能形成上述π健 . 答案:(1)1s22s2sp63s23p2 O>C>Si(2)sp3 共價鍵(3)Mg Mg2+半徑比Ca2+小.MgO的晶格能大(4)C的原子半徑較小.C.O原子能充分接近.p-p軌道肩并肩重疊程度較大.形成較穩定的π鍵.而Si原子半徑較大.Si.O原子間距離較大.p-p軌道肩并肩重疊程度較小.不能形成穩定的π鍵 解析:(1)C.Si和O的電負性大小順序為:O>C>Si.(2)晶體硅中一個硅原子周圍與4個硅原子相連.呈正四面體結構.所以雜化方式是sp3 .(3)SiC電子總數是20個.則氧化物為MgO,晶格能與所組成離子所帶電荷成正比.與離子半徑成反比.MgO與CaO的離子電荷數相同.Mg2+半徑比Ca2+小.MgO晶格能大.熔點高.(4) Si的原子半徑較大.Si.O原子間距離較大.p-p軌道肩并肩重疊程度較小.不能形成上述穩定的π鍵 [考點分析]物質結構與性質.原子結構.雜化方式綜合考查 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(09年山東理綜·29)(12分)Zn—MnO2干電池應用廣泛,其電解質溶液是ZnCl2—NH4Cl混合溶液。

(1)該電池的負極材料是     。電池工作時,電子流向    (填“正極”或“負極”)。

(2)若ZnCl2—NH4Cl混合溶液中含有雜質Cu2,會加速某電極的腐蝕,其主要原因是  

               。欲除去Cu2+,最好選用下列試劑中的           (填代號)。

a.NaOH       b.Zn     c.Fe      d.NH3·H2O

(3)MnO2的生產方法之一是以石墨為電極,電解酸化的MnSO4溶液。陰極的電極反應式是              。若電解電路中通過2mol電子,MnO2的理論產量為               

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