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13．[化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)] 請(qǐng)完成下列各題: (1)前四周期元素中.基態(tài)原子中未成對(duì)電子與其所在周期數(shù)相同的元素有種. (2)第ⅢA.ⅤA原元素組成的化合物GaN.GaP.GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料.其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似.Ga原子的電子排布式為 .在GaN晶體中.每個(gè)Ga原子與個(gè)N原子相連.與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為 .在四大晶體類型中.GaN屬于晶體. (3)在極性分子NCl3中.N原子的化合物為―3.Cl原子的化合價(jià)為+1.請(qǐng)推測NCl3水解的主要產(chǎn)物是 . 答案:(1)5 (2)1s22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1) 4 正四面體原子 (3)HClO NH3·H2O 解析:(1)第四周期中.基態(tài)原子中未成對(duì)電子數(shù)與其周期數(shù)相同的元素包括:第1周期的氫.第二周期的碳和氧.第三周期的磷.第四周期的鐵.共5種. (2)Ga在元素周期表中是第四周期.第ⅢA族.原子序數(shù)是31.即其原子核外電子數(shù)是31.根據(jù)核外電子的排布規(guī)律可以寫出該原子的電子排布式為:1s22s22p63s23p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1.因?yàn)镚aN晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似.可知GaN晶體是原子晶體.晶體結(jié)構(gòu)為空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu).每個(gè)Ga原子與四個(gè)N相連.這四個(gè)N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型是正四面體型. (3)水解反應(yīng)前后各元素的化合價(jià)不變.由題意知NCl3中N的化合價(jià)為-3價(jià).Cl的化合價(jià)為+1價(jià).則在NCl3水解的產(chǎn)物中N的化合價(jià)也是-3價(jià).Cl的化合價(jià)是+1價(jià).分析可知其水解產(chǎn)物是HClO和NH3 ·H2O . 【查看更多】

（07年山東理綜·29）（15分）鐵及鐵的化合物應(yīng)用廣泛，如FeCl₃可用作催化劑、印刷電路銅板腐蝕劑和外傷止血?jiǎng)┑取?/p>

（1）寫出FeCl₃溶液腐蝕印刷電路銅板的離子方程式。

（2）若將（1）中的反應(yīng)設(shè)計(jì)成原電池，請(qǐng)畫出原電池的裝置圖，標(biāo)出正、負(fù)極，并寫出電極反應(yīng)式。

正極反應(yīng) 負(fù)投反應(yīng) 。

（3）腐蝕銅板后的混合溶液中，若Cu²^＋、Fe³^＋和Fe²^＋的濃度均為0.10mol·L^－¹，請(qǐng)參照下表給出的數(shù)據(jù)和藥品，簡述除去CuCl₂溶液中Fe³^＋和Fe²^＋的實(shí)驗(yàn)步驟。

	氫氧化物開始沉淀時(shí)的pH	氫氧化物沉淀完全時(shí)的pH
Fe³^＋	1.9	3.2
Fe²^＋	7.0	9.0
Cu²^＋	4.7	6.7
提供的藥品：Cl₂ 濃H₂SO₄ NaOH溶液 CuO Cu

（4）某科研人員發(fā)現(xiàn)劣質(zhì)不銹鋼在酸中腐蝕緩慢，但在某些鹽溶液中腐蝕現(xiàn)象明顯。請(qǐng)從上表提供的藥品中選擇兩種（水可任選），設(shè)計(jì)最佳實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證劣質(zhì)不銹鋼易被腐蝕。

有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式

劣質(zhì)不銹鋼腐蝕的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象

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