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硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。回答下列問題：

（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為       ，該能層具有的原子軌道數(shù)為       、電子數(shù)為          。

（2）硅主要以硅酸鹽、               等化合物的形式存在于地殼中。

（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以               相結(jié)合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻           個原子。

（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH₄)分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg₂Si和NH₄Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH₄，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為                                                   。

（5）碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關(guān)事實：

①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多，原因是                                                                                   。

②SiH₄的穩(wěn)定性小于CH₄，更易生成氧化物，原因是                                              。

（6）在硅酸鹽中，SiO₄^4－四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為                  。Si與O的原子數(shù)之比為             。

元素周期表中第四周期元素由于受3d電子的影響，性質(zhì)的遞變規(guī)律與短周期元素略有不同。

Ⅰ．第四周期元素的第一電離能隨原子序數(shù)的增大，總趨勢是逐漸增大的。

鎵（₃₁Ga）的基態(tài)電子排布式是_________________________________________；

₃₁Ga的第一電離能卻明顯低于₃₀Zn，原因是______________________________________；

Ⅱ．第四周期過渡元素的明顯特征是形成多種多樣的配合物。

（1）CO和NH₃可以和很多過渡金屬形成配合物。CO與N₂互為等電子體，CO分子中C原子上有一孤電子對，C、O原子都符合8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則CO的結(jié)構(gòu)式可表示為________________。NH₃ 分子中N原子的雜化方式為_______雜化，NH₃分子的空間立體構(gòu)型是____________。

（2）向盛有硫酸銅水溶液的試管中加氨水，首先形成藍色沉淀，繼續(xù)加入氨水沉淀溶解，得到深藍色透明溶液，向該溶液中加乙醇，析出深藍色晶體。藍色沉淀先溶解，后析出的原因是：__________________________________________（用相關(guān)的離子方程式和簡單的文字說明加以解釋）

（3）如圖甲所示為二維平面晶體示意圖，所表示的化學(xué)式為AX₃的是________。

（4）圖乙為一個金屬銅的晶胞，此晶胞立方體的邊長為acm，Cu的相對原子質(zhì)量為64，金屬銅的密度

為ρ g/cm³，則阿伏加德羅常數(shù)可表示為________ mol^-1(用含a、ρ的代數(shù)式表示)。

X、Y、Z、W四種物質(zhì)之間有轉(zhuǎn)化關(guān)系如題8圖所示（反應(yīng)條件略），下列有關(guān)X、Y的說法錯誤的是

A．X為H₂O，Y為F₂

B．x為SiO₂，Y為c

C．x為CO₂，Y為Mg  

D．x為H₂O，Y為               C．

X、Y、Z、W四種物質(zhì)之間有轉(zhuǎn)化關(guān)系如題8圖所示（反應(yīng)條件略），下列有關(guān)X、Y的說法錯誤的是

A．X為H₂O，Y為F₂
B．x為SiO₂，Y為c
C．x為CO₂，Y為Mg    
D．x為H₂O，Y為         C．