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(1)寫出以上敘述中涉及的化學(xué)方程式：

①____________________________________________________________

②____________________________________________________________

③____________________________________________________________

④____________________________________________________________。

(2)制取甲硅烷的裝置與制取__________ (填“H₂”或“O₂”)的裝置相似。

(3)加入稀鹽酸之前后應(yīng)向密閉裝置中通入氮氣一會兒，其目的是__________。

(4)為研究甲硅烷的化學(xué)性質(zhì)，進(jìn)行了如下實驗：

①將甲硅烷通入少量的硝酸銀溶液中，發(fā)現(xiàn)有沉淀生成，后經(jīng)測定知該沉淀為混合物，其中有二氧化硅。向充分反應(yīng)后的溶液中滴入幾滴稀鹽酸，未發(fā)現(xiàn)有白色沉淀。向反應(yīng)后的原溶液中滴入幾滴碳酸鈉溶液，卻發(fā)現(xiàn)有氣泡迅速放出。將甲硅烷通入硝酸銀溶液中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為___________________________________________________________________。

②制取甲硅烷后，檢驗裝置中是否有殘留的的甲硅烷的方法是__________________________。

（1）寫出上述內(nèi)容涉及的化學(xué)方程式。

（2）制取甲硅烷的裝置與制取________（填“氧氣”“氫氣”或“氯氣”）的裝置相似。

（3）加入稀鹽酸之前應(yīng)向密閉裝置中通入一會兒氮氣，其目的是______________。

（4）收集甲硅烷氣體只能采用________法，這是因為________。收集完甲硅烷氣體后不能直接將導(dǎo)氣管從水槽中取出，這是為了防止________，正確的操作方法是________________。

（5）為了研究甲硅烷的化學(xué)性質(zhì)，進(jìn)行如下實驗：①將甲硅烷通入少量的高錳酸鉀酸性溶液中，發(fā)現(xiàn)有二氧化錳生成，同時還生成了所有氣體中最輕的氣體，然后經(jīng)測定得知所得溶液為無色的硅酸鉀（K₂SiO₃）溶液，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________________。②將甲硅烷通入少量的硝酸銀溶液，發(fā)現(xiàn)有沉淀生成，然后經(jīng)測定得知沉淀為混合物，其中有二氧化硅。向充分反應(yīng)后的溶液中滴入幾滴稀鹽酸，未發(fā)現(xiàn)有白色沉淀生成；向反應(yīng)后的原溶液中滴入幾滴碳酸鈉溶液，卻發(fā)現(xiàn)有氣泡迅速放出。則將甲硅烷通入硝酸銀溶液中，發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為____________________________________。

（6）制完甲硅烷后，檢驗裝置中是否有殘留的甲硅烷的方法是_________________________。

[化學(xué)—選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]（15分）
硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請回答下列問題：
（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為       ，該能層具有的原子軌道數(shù)為        、電子數(shù)為           。
（2）硅主要以硅酸鹽、           等化合物的形式存在于地殼中。
（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以           相結(jié)合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)          個原子。
（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷（SiH₄）分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg₂Si和NH₄Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH₄，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為                                     。
（5）碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關(guān)事實：

[化學(xué)——選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]（15分）
硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。回答下列問題：
（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為____     ，該能層具有的原子軌道數(shù)為____      、電子數(shù)為           。
（2）硅主要以硅酸鹽、____             等化合物的形式存在于地殼中。
（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以              相結(jié)合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)____         個原子。
（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷（SiH₄）分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg₂Si和NH₄C1在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH₄，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為___                     。
（5）碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關(guān)事實：

①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是         。
②SiH₄的穩(wěn)定性小于CH₄，更易生成氧化物，原因是____                              。
（6）在硅酸鹽中，SiO₄^4－四面體（如下圖（a））通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖（b）為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為               。Si與O的原子數(shù)之比為                。

硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。回答下列問題：
（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號       ，該能層具有的原子軌道數(shù)為      、電子數(shù)為         。
（2）硅主要以硅酸鹽、       等化合物的形式存在于地殼中。
（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以        相結(jié)合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)       個原子。
（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH₄)分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg₂Si和NH₄CI在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH₄，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為              。
（5）碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關(guān)事實：