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[提問]工業(yè)上用什么方法來制備HCl?可否用光照H2.Cl2混合氣的方法來制HCl? 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(三選一)【化學與技術(shù)】
氮化硅(Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。   
I.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅,常見的方法有:   
①方法一  直接氮化法:在1300~1400℃時,高純粉狀硅與純氮氣化合,其反應方程式為__________________________。   
②方法二  化學氣相沉積法:在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮氣、氫氣反應生成氮化硅和HCl,與方法一相比,用此法制得的氮化硅純度較高,其原因是__________________   
③方法三  Si(NH2)4熱分解法:先用四氯化硅與氨氣反應生成Si(NH2)4和一種氣體__________  (填分子式);然后使Si(NH2)4受熱分解,分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為_________。   
Ⅱ.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下:
已知:X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應,Y與X在光照或點燃條件下可反應,Z的焰色呈黃色。
(1)原料B的主要成分是_____________(寫名稱)。
(2)寫出焦炭與原料B中的主要成分反應的化學方程式:_____________________。
(3)上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時,____(填“能”或 “不能”)用Cu作為陽極材料;寫出Cu為陽極電解A的水溶液開始一段時間陰、陽極的電極方程式:
陽極:__________________;陰極:___________________。

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氮化硅(Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域中有重要用途.

Ⅰ.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅,常見的方法:

方法一  直接氮化法:在1 300~1 400℃時,高純粉狀硅與純氮氣化合,其反應方程式為
 

方法二  化學氣相沉積法:在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮氣、氫氣反應生成氮化硅和HCl,與方法一相比,用此法制得的氮化硅純度較高,其原因是
 

方法三  Si(NH24熱分解法:先用四氯化硅與氨氣反應生成Si3N4和一種氣體
 
(填分子式);然后使Si(NH24受熱分解,分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為
 

Ⅱ.(1)氮化硅抗腐蝕能力很強,但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應生成四氟化硅和一種銨鹽,此鹽中存在的化學鍵類型有
 

(2)已知:25℃,101kPa條件下的熱化學方程式:
3Si(s)+2N2(g)═Si3N4(s)△H=-750.2kJ/mol    ①
Si(s)+2C12(g)═SiCl4(g)△H=-609.6kJ/mol    ②
1
2
H2(g)+
1
2
C12(g)═HCl(g)△H=-92.3kJ/mol    ③
請寫出四氯化硅氣體與氮氣、氫氣反應的熱化學方程式:
 

Ⅲ.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下:

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已知:X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應,Y與X在光照或點燃條件下可反應,Z的焰色呈黃色.
(1)原料B的主要成分是
 
(填化學式).
(2)寫出焦炭與原料B中的主要成分反應的化學方程式:
 

(3)上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時,陽極材料能否用Cu?
 
(填“能”或“不能”).寫出Cu為陽極電解A的水溶液開始一段時間陰、陽極的電極反應方程式.陽極:
 
;陰極:
 

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氮化硅(Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。

I.工業(yè)上有多種方法來制備氮氦化硅,常見的方法有:

方法一  直接氦化法:在1300~1400℃時,高純粉狀硅與純氦氣化合,其反應方程式為

                                                                           

方法二  化學氣相沉積法:在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氦氣、氫氣反應生成氦化硅和HCl,與方法一相比,用此法制得的氦化硅純度較高,其原因是            

方法三  Si(NH­24熱分解法:先用四氯化硅與氨氣反應生成Si(NH­24和一種氣體

          (填分子式);然后使Si(NH24受熱分解,分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為             

II.(1)氨化硅抗腐蝕能力很強,但易被氫氟酸腐蝕,氨化硅與氫氟酸反應生成四氟化硅和一種銨鹽,此鹽中存在的化學鍵類型有                 

   (2)已知:25℃,101kPa條件下的熱化學方程式:

        3Si(s)+2N2(g)==Si3N4(s)   △H=—750.2kJ/mol

        Si(s)+2Cl2(g)==SiCl4(g)   △H=—609.6kJ/mol

        H2(g)+Cl2(g)==HCl(g) △H=—92.3kJ/mol

        請寫出四氯化硅氣體與氮氣、氫氣反應的熱化學方程式:

                                                                             

III.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下:

 

    已知:X,高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應,Y與X在光照或點燃條件下可反應,Z的焰色呈黃色。

   (1)原料B的主要成分是              

   (2)寫出焦炭與原料B中的主要成分反應的化學方程式:                 

   (3)上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時,陽極材料能否用Cu?   (填“能”或“不能”)。

        寫出Cu為陽極電解A的水溶液開始一段時間陰陽極的電極方程式:

        陽極:                      ;陰極:                   

 

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(15分)

氮化硅(Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途.

I.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅,常見的方法有:

方法一  直接氮化法:在1300℃-1400℃時,高純粉狀硅與純氮氣化合,其反應方程式為             .

方法二  化學氣相沉積法:在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮氣、氫氣反應生成氮化硅和HCl,與方法一相比,用此法制得的氮化硅純度較高,其原因是           .

方法三  Si(NH2)4熱分解法:先用四氯化硅與氨氣反應生成Si(NH2)4和一種氣體(填分子式)      ;然后使Si(NH2)4受熱分解,分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為          

II.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下:

已知:X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應,YX在光照或點燃條件下可反應,Z的焰色呈黃色.

(1)寫出焦炭與原料B中的主要成分反應的化學方程式:                       

(2)上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液的化學方程式:                       

 

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氮化硅( Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途.

I.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅,常見的方法有:

方法一:直接氮化法:在1300℃-1400℃時,高純粉狀硅與純氮氣化合,其反應方程式為

                                                                  

方法二:化學氣相沉積法:在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮氣、氫氣反應生成氮化硅和HC1,與方法一相比,用此法制得的氮化硅純度較高,其原因是                  

方法三:Si(NH24熱分解法:先用四氯化硅與氨氣反應生成Si(NH24和一種氣體(填分子式)________;然后使Si(NH24受熱分解,分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為              

II.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下:

已知:X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應,Y與X在光照或點燃條件下可反應,Z的焰色呈黃色.

(1)原料B的主要成分是(寫名稱)                                 

(2)寫出焦炭與原料B中的主要成分反應的化學方程式:                           

(3)上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時,陽極材料能否用Cu                (填“能”或“不能”),寫出Cu為陽極電解A的水溶液開始一段時間陰陽極的電極方程式:

陽極:                             ;陰極:                           

 

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